Жданович Николай Евгеньевич
Способ изготовления запираемых тиристоров
Номер патента: 14249
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/263
Метки: запираемых, изготовления, способ, тиристоров
Текст:
...2 ч,то отжигается незначительная часть термостабильных дефектов с уровнем ЕС 0,36 эВ и приборы не переключаются в открытое состояние токами управления , оговоренными ТУ. Наряду с дефектом с уровнем ЕС 0,17 эВ в материал -базы при облучении вводится также дефект с акцепторным уровнем ЕС 0,34 эВ в верхней половине запрещенной зоны. Данный дефект не является эффективным центром рекомбинации и отжигается в интервале температур 550-560 С. На...
Способ повышения радиационной стойкости биполярных кремниевых структур
Номер патента: 13703
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/00
Метки: кремниевых, стойкости, радиационной, биполярных, способ, повышения, структур
Текст:
...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии
Номер патента: 13719
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: способ, неосновных, эпитаксиальном, времени, регулирования, полупроводниковых, носителей, жизни, приборах, кремнии, заряда
Текст:
...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...
Способ изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором
Номер патента: 13721
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 29/00, H01L 21/00
Метки: изолированным, биполярных, изготовления, затвором, транзисторов, способ
Текст:
...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...
Способ разбраковки полупроводниковых кремниевых диодных структур
Номер патента: 13236
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: способ, структур, разбраковки, полупроводниковых, диодных, кремниевых
Текст:
...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...
Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния
Номер патента: 12994
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: быстродействующих, тиристоров, способ, основе, кремния, изготовления
Текст:
...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...
Способ ускоренной отбраковки полупроводниковых приборов с повышенной чувствительностью параметров к дестабилизирующим воздействиям
Номер патента: 11849
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: приборов, чувствительностью, параметров, отбраковки, воздействиям, ускоренной, повышенной, полупроводниковых, способ, дестабилизирующим
Текст:
...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...
Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости
Номер патента: 11642
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: кремния, способ, отбраковки, приборов, основе, радиационной, стойкости, полупроводниковых
Текст:
...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...
Способ выявления глубоких уровней в p-n-переходе полупроводникового прибора
Номер патента: 11643
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/66
Метки: глубоких, прибора, уровней, способ, выявления, p-n-переходе, полупроводникового
Текст:
...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...
Способ изготовления мощных быстродействующих тиристоров
Номер патента: 11372
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: мощных, быстродействующих, тиристоров, изготовления, способ
Текст:
...части -базы. Наличие профиля радиационных дефектов в широкой базе с минимумом концентрации вблизи эмиттерного р-перехода и максимумом у коллекторного рперехода приводит к следующему 1. Область повышенной концентрации рекомбинационных центров оттесняется к коллекторному переходу, т.е. вблизи него создается область повышенной рекомбинации, что способствует увеличению быстродействия при меньшем росте остаточного напряжения. 2. Вблизи анодного...
Способ изготовления быстродействующих высоковольтных диодов
Номер патента: 11307
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Кульгачев Владимир Ильич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: способ, диодов, быстродействующих, изготовления, высоковольтных
Текст:
...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...
Способ создания термочувствительного GaAs-элемента
Номер патента: 11192
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: C30B 33/00, H01L 21/02, C30B 29/10...
Метки: термочувствительного, gaas-элемента, способ, создания
Текст:
...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...
Способ отбраковки высоковольтных кремниевых полупроводниковых диодов по радиационной стойкости
Номер патента: 11098
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, диодов, способ, высоковольтных, радиационной, отбраковки, стойкости, кремниевых
Текст:
...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...
Способ термообработки кремниевых структур
Номер патента: 10862
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Гуринович Валентина Артемовна
МПК: H01L 21/02
Метки: структур, способ, термообработки, кремниевых
Текст:
...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния
Номер патента: 10595
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/02
Метки: быстродействующих, полупроводниковых, жизни, способ, высоковольтных, носителей, кремния, мощных, регулирования, базе, изготавливаемых, заряда, неосновных, времени, ядернолегированного, приборах
Текст:
...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...
Способ обработки низковольтных стабилитронов
Номер патента: 10225
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/00
Метки: стабилитронов, способ, обработки, низковольтных
Текст:
...появление в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней. В низковольтных стабилитронах они проявляют себя, главным образом, как компенсирующие центры, снижающие концентрацию основных носителей заряда в полупроводнике, и как дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне,способствующие более эффективному туннельному просачиванию носителей 5. Первый из этих эффектов (снижение проводимости) ведет к росту...
Способ изготовления термокомпенсированных стабилитронов
Номер патента: 10231
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/00
Метки: способ, термокомпенсированных, стабилитронов, изготовления
Текст:
...при 77-213 , используются пониженные температуры облучения. Сущность изобретения состоит в том, что готовые приборы подвергают электронному облучению определенными дозами, поддерживая в зоне облучения заданную температуру. Такая радиационная обработка приводит к введению в требуемой концентрации в активные физические области полупроводниковой структуры стабилитрона радиационных дефектов. Возникающие дефекты создают новые энергетические уровни...
Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости
Номер патента: 10133
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: основе, приборов, радиационной, отбраковки, полупроводниковых, способ, кремния, стойкости
Текст:
...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов
Номер патента: 9993
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/02
Метки: регулирования, изготовлении, жизни, времени, заряда, носителей, полупроводниковых, способ, быстродействующих, неосновных, приборов
Текст:
...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...
Способ радиационной обработки кремниевых полупроводниковых приборов
Номер патента: 8754
Опубликовано: 30.12.2006
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/263, H01L 21/26, H01L 21/322...
Метки: кремниевых, радиационной, обработки, полупроводниковых, приборов, способ
Текст:
...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...