Жданович Николай Евгеньевич

Номер патента: 14249

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, тиристоров, изготовления, запираемых

Текст:

...2 ч,то отжигается незначительная часть термостабильных дефектов с уровнем ЕС 0,36 эВ и приборы не переключаются в открытое состояние токами управления , оговоренными ТУ. Наряду с дефектом с уровнем ЕС 0,17 эВ в материал -базы при облучении вводится также дефект с акцепторным уровнем ЕС 0,34 эВ в верхней половине запрещенной зоны. Данный дефект не является эффективным центром рекомбинации и отжигается в интервале температур 550-560 С. На...

Номер патента: 13703

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: повышения, кремниевых, способ, биполярных, структур, стойкости, радиационной

Текст:

...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...

Номер патента: 13719

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: времени, кремнии, регулирования, эпитаксиальном, полупроводниковых, неосновных, способ, заряда, приборах, жизни, носителей

Текст:

...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...

Номер патента: 13721

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Метки: изготовления, биполярных, способ, изолированным, транзисторов, затвором

Текст:

...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: структур, способ, разбраковки, диодных, полупроводниковых, кремниевых

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: тиристоров, кремния, изготовления, основе, быстродействующих, способ

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: отбраковки, дестабилизирующим, чувствительностью, способ, параметров, повышенной, приборов, воздействиям, ускоренной, полупроводниковых

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: приборов, основе, отбраковки, стойкости, способ, кремния, радиационной, полупроводниковых

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, способ, уровней, выявления, p-n-переходе, прибора, полупроводникового

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Номер патента: 11372

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: быстродействующих, мощных, способ, изготовления, тиристоров

Текст:

...части -базы. Наличие профиля радиационных дефектов в широкой базе с минимумом концентрации вблизи эмиттерного р-перехода и максимумом у коллекторного рперехода приводит к следующему 1. Область повышенной концентрации рекомбинационных центров оттесняется к коллекторному переходу, т.е. вблизи него создается область повышенной рекомбинации, что способствует увеличению быстродействия при меньшем росте остаточного напряжения. 2. Вблизи анодного...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Кульгачев Владимир Ильич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: диодов, способ, быстродействующих, изготовления, высоковольтных

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C30B 33/00...

Метки: gaas-элемента, способ, создания, термочувствительного

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: способ, отбраковки, полупроводниковых, кремниевых, радиационной, высоковольтных, диодов, стойкости

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10862

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гуринович Валентина Артемовна, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: термообработки, кремниевых, способ, структур

Текст:

...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: времени, неосновных, приборах, высоковольтных, регулирования, изготавливаемых, способ, кремния, носителей, полупроводниковых, жизни, заряда, базе, ядернолегированного, мощных, быстродействующих

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Номер патента: 10225

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/00

Метки: обработки, способ, стабилитронов, низковольтных

Текст:

...появление в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней. В низковольтных стабилитронах они проявляют себя, главным образом, как компенсирующие центры, снижающие концентрацию основных носителей заряда в полупроводнике, и как дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне,способствующие более эффективному туннельному просачиванию носителей 5. Первый из этих эффектов (снижение проводимости) ведет к росту...

Номер патента: 10231

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: термокомпенсированных, способ, изготовления, стабилитронов

Текст:

...при 77-213 , используются пониженные температуры облучения. Сущность изобретения состоит в том, что готовые приборы подвергают электронному облучению определенными дозами, поддерживая в зоне облучения заданную температуру. Такая радиационная обработка приводит к введению в требуемой концентрации в активные физические области полупроводниковой структуры стабилитрона радиационных дефектов. Возникающие дефекты создают новые энергетические уровни...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: отбраковки, полупроводниковых, стойкости, радиационной, кремния, приборов, способ, основе

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, быстродействующих, полупроводниковых, жизни, изготовлении, носителей, регулирования, заряда, неосновных, времени, способ

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/26, H01L 21/322, H01L 21/263...

Метки: кремниевых, полупроводниковых, обработки, радиационной, способ, приборов

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...