Зеленин Виктор Алексеевич

Импульсный генератор электроэрозионной плазмы для нанесения алмазоподобных покрытий

Загрузка...

Номер патента: U 9472

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C23C 14/24, H05H 1/54

Метки: электроэрозионной, алмазоподобных, генератор, покрытий, плазмы, нанесения, импульсный

Текст:

...импульсный вакуумно-дуговой разряд, факел плазмы которого распространяется от рабочей конической поверхности катода в сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом генератора,которые связаны между собой электрической цепью, включающей последовательно соединенные соленоид и основную конденсаторную батарею, отрицательный полюс которой...

Способ контроля остаточных напряжений в кремниевой структуре покрытие SiO2–основа Si

Загрузка...

Номер патента: 17232

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: кремниевой, покрытие sio2–основа si, структуре, способ, напряжений, контроля, остаточных

Текст:

...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...

Устройство для вакуумного нанесения металлического покрытия на частицы порошка абразивного материала

Загрузка...

Номер патента: 15858

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Смоляк Василий Васильевич, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C23C 14/24

Метки: материала, абразивного, нанесения, вакуумного, покрытия, устройство, частицы, металлического, порошка

Текст:

...на некоторую высоту и высыпания порошка на поверхность общей массы. С другой стороны, в процессе высыпания частиц порошка, они перекатываются по плоской поверхности контейнера и начинают вращаться вокруг своей оси. За счет этого все стороны одной и той же частицы равновероятно подвергаются воздействию напыляемого потока покрытия. Увеличение числа степеней свободы перемещения частиц в процессе напыления достигается за счет их вращения при...

Импульсный генератор электроэрозионной плазмы для нанесения алмазоподобной тонкой пленки

Загрузка...

Номер патента: 15519

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Зеленковский Эдуард Михайлович, Акула Игорь Петрович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: нанесения, тонкой, алмазоподобной, импульсный, электроэрозионной, пленки, плазмы, генератор

Текст:

...сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом генератора, которые связаны между собой электрической цепью, подключенной к основной конденсаторной батарее, отрицательный полюс которой соединен с катодом, а положительный - с анодом генератора. Зона возбуждения инициирующего импульсного дугового разряда перемещается от импульса к импульсу, что...

Материал для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C22C 28/00, H01C 7/00

Метки: тонкопленочных, материал, резистивных, элементов, интегральных, микросхем

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Устройство для вакуумного нанесения металлического покрытия на порошок абразивного материала

Загрузка...

Номер патента: U 6601

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Смоляк Василий Васильевич

МПК: C23C 14/00

Метки: абразивного, нанесения, металлического, вакуумного, материала, порошок, покрытия, устройство

Текст:

...напыления. Это обеспечивает нанесение покрытия по всей поверхности порошка с равномерной толщиной. По сравнению с прототипом каждая частица порошка имеет повышенное количество степеней свободы. С одной стороны, перемешивание частиц порошка происходит за счет вращения контейнера, подъема частиц из донной части контейнера на некоторую высоту и высыпания порошка на поверхность общей массы. С другой стороны, в процессе высыпания частиц...

Импульсный генератор электроэрозионной плазмы для нанесения алмазоподобных покрытий

Загрузка...

Номер патента: U 6312

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Зеленковский Эдуард Михайлович, Акула Игорь Петрович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: электроэрозионной, генератор, плазмы, импульсный, алмазоподобных, нанесения, покрытий

Текст:

...поверхности катода возникают локальные катодные пятна и между электродом поджига и рабочей конической 3 63122010.06.30 поверхностью катода происходит предварительный импульсный вакуумно-дуговой разряд, факел плазмы которого распространяется от рабочей конической поверхности катода в сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом...

Алмазный круг с внутренней режущей кромкой для резки монокристаллов кубической сингонии на пластины

Загрузка...

Номер патента: 8715

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: B24D 5/12, B24D 3/00

Метки: резки, внутренней, кромкой, кубической, пластины, монокристаллов, круг, режущей, алмазный, сингонии

Текст:

...слоя.Придание наклона торцу режущей кромки Круга приводит К появлению устойчивой осевой силы, направленной в сторону острого угла Кромки. Если острый угол кромки примыкает К торцу остающейся части слитка, эта сила прижимает режущий круг К остающейся части слитка и препятствует отклонению инструмента от плоскости реза в сторону отрезаемой пластины. ОтКлонению Круга от плоскости реза в сторону остающейся части слитка препятствует высокая...

Способ резки слитков кремния на пластины

Загрузка...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/304, H01L 21/302, B28D 5/02...

Метки: слитков, резки, пластины, кремния, способ

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Способ контроля качества поверхностей изделий

Загрузка...

Номер патента: 8342

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Пуглаченко Елена Георгиевна, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: изделий, способ, контроля, качества, поверхностей

Текст:

...ямок и бугорков различных размеров и форм. Наличие ямки приводит к фокусировке отраженного света, что на топограмме проявляется в появлении более светлого, по сравнению со средней освещенностью топограммы, пятна. Наличие бугорка, наоборот, приводит к расфокусировке света, что проявляется в появлении на топограмме темного пятна. Интенсивность освещения любой точки на экране отражает локальную кривизну контролируемой поверхности в...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02, H01L 21/304...

Метки: способ, полупроводниковых, кремния, изготовления, пластин

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 6374

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, контроля, поверхности, изделий, способ

Текст:

...разрешающей способности, глубины резкости, размеров и яркости изображения. 3 6374 1 Поставленная задача решается тем, что в способе контроля качества поверхности изделий путем наблюдения на экране изображения поверхности, полученного отражением света от контролируемого изделия, освещенного точечным источником, освещение проводят расходящимся пучком света. Сущность заявляемого способа заключается в формировании изображения контролируемой...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...