Турцевич Аркадий Степанович

Номер патента: U 10309

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Данилович Петр Александрович, Лебедев Виктор Ильич, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: A61B 5/044, A61B 5/04

Метки: монитор, медицинский, пациента

Текст:

...с блоком регистрации и анализа, жидкокристаллический индикатор, кабель электропитания, на внутренние поверхности корпуса и экрана жидкокристаллического индикатора нанесено металлическое покрытие с толщиной, достаточной для обеспечения светопередачи и считывания информации пользователем, отражающее электромагнитные волны в диапазоне метровых и дециметровых волн от 10,0 до 0,3 м, причем металлическое покрытие экрана жидкокристаллического...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Довженко Александр Алексеевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 31/0203, H01L 21/56

Метки: схемы, корпуса, способ, герметизации, интегральной

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Чиж Александр Леонидович, Блынский Виктор Иванович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Подковщиков Николай Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: формирования, кристалла, полупроводникового, стороны, способ, металлизации, прибора, обратной

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, кристалла, прибора, обратной, металлизация, стороны

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: кристалла, кремниевого, присоединения, кристаллодержателю, прибора, полупроводникового, способ

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: U 10016

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Шестак Вадим Георгиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Кашковский Виктор Михайлович

МПК: A61G 7/002, A61G 7/018, A61G 7/015...

Метки: трансформации, механизм

Текст:

...(трется) с поверхностями продольного и фиксирующих пазов корпуса. Характер контакта - трение скольжения с коэффициентом трения 0,15. Вследствие этого происходит истирание поверхностей продольного, фиксирующих пазов и некоторой ограниченной поверхности штифта. Износ поверхностей сокращает срок службы механизма трансформации. Заявленная полезная модель решает задачу уменьшения коэффициента трения при перемещении штока. Поставленная задача...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...

Метки: способ, легированных, пленок, кремния, фосфором, осаждения

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Ефименко Сергей Афанасьевич, Малый Игорь Васильевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: изготовления, микросхемы, способ, интегральной, кремниевой

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Васильев Юрий Борисович, Турцевич Аркадий Степанович, Белоус Анатолий Иванович, Челядинский Алексей Романович, Садовский Павел Кириллович, Плебанович Владимир Иванович, Оджаев Владимир Борисович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремния, пластине, способ, формирования, слоя, геттерного

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: B08B 7/00, H01L 21/44

Метки: силицида, микросхем, производства, способ, формирования, титана, пленки, интегральных

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Номер патента: U 9741

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Шестак Вадим Георгиевич, Кашковский Виктор Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Сарычев Олег Эрнстович

МПК: A61G 7/015, A61G 7/018, A61G 7/002...

Метки: трансформации, механизм

Текст:

...вдоль штока и имеет выемку, поверхность которой и поверхности продольного паза со стороны фиксирующих пазов расположены на одном уровне в продольном пазу корпуса между фиксирующими пазами дополнительно выполнены углубления, причем расстояние от углубления до фиксирующего паза А больше, чем расстояние от оси штифта до выемки ползунка Б, на 10-20 , а радиус кривизны углубления угл меньше радиуса кривизны штифта шт. Сопоставительный анализ...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Рубцевич Иван Иванович, Выговский Станислав Вячеславович

МПК: C04B 41/51

Метки: алюмооксидных, изоляторов, керамических, способ, металлизации

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/02, G05D 23/00, H01L 21/02...

Метки: пластин, пленки, способ, полупроводниковых, очистке, аэрозольной, химической, кремния, диоксида, травления

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Гайдук Петр Иванович, Новиков Андрей Геннадьевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: нанокристаллов, памяти, германия, энергонезависимой, способ, формирования

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич, Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Адашкевич Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: титана, подложке, пленки, кремниевой, дисилицида, способ, формирования

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/30

Метки: загрязнений, после, полимерных, полупроводниковых, поверхности, аэрозольного, кремниевых, удаления, травления, плазмохимического, фоторезиста, способ, пластин

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/306

Метки: полимерных, загрязнений, состав, удаления, поверхности, кремния

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: B08B 3/08, H01L 21/44

Метки: полупроводниковых, поверхности, основе, очистки, разводкой, струйной, пластин, алюминия, способ, металлизированной, кремниевых

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: композиция, бора, микроэлектроники, источников, планарных, изделий, получения, изготовлении, твердых

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, изготовления, твердых, способ, схем, источников, бора, создании, приборов, полупроводниковых, планарных

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Пшеничный Евгений Николаевич, Комаров Фадей Фадеевич

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: способ, осаждения, тонких, пленок

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сидерко Александр Александрович, Каленик Вера Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/285, C23C 16/14

Метки: способ, пленок, вольфрама, осаждения, газовой, химического, фазы

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Номер патента: 15169

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Драко Андрей Васильевич, Кунцевич Александр Иванович, Радкевич Валерий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: F28C 1/00

Метки: энергетической, установки, градирня

Текст:

...форсунки, при этом угол оси факела центральной форсунки относительно оси шахты составляет 35-39. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что капли жидкости в факеле распыла движутся по параболическим траекториям, причем восходящая часть их траекторий находится в пределах конуса, который определяется углом раствора факела. Объем, который занимают капли факела распыла (на восходящей части их траекторий),...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Номер патента: 15052

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Гапоненко Сергей Васильевич, Борисенко Виктор Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ореховская Таисия Ивановна, Гапоненко Николай Васильевич, Прислопский Сергей Ярославович, Циркунов Дмитрий Алексеевич, Меледина Марина Владимировна

МПК: C25D 11/12, C09K 11/77

Метки: алюминиевой, рисунка, люминесцентного, поверхности, способ, изображения, формирования, получения

Текст:

...и ксерогеля, что также ограничивает применение. Технической задачей предлагаемого изобретения является получение двухцветного люминесцентного изображения на алюминии. Поставленная техническая задача решается тем, что в способе формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности, в котором на поверхность образца наносят маску из фоторезиста, формируют в ее окнах слой пористого анодного оксида...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Кривчик Петр Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C30B 25/20, H01L 21/36

Метки: способ, эпитаксиальных, структур, изготовления, кремниевых

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Зубович Анатолий Николаевич, Сарычев Олег Эрнстович, Выговский Станислав Вячеславович

МПК: H01L 23/12

Метки: изготовления, способ, мощного, прибора, полупроводникового

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: металлизация, схемы, интегральной

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/02, H01L 23/48...

Метки: межэлементных, изготовления, микросхемы, способ, соединений

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Становский Владимир Владимирович, Сивец Василий Иосифович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: способ, фотодиода, изготовления

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Добриян Татьяна Сергеевна, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: C04B 41/88, C04B 41/80

Метки: металлизации, керамических, изоляторов, способ, алюмооксидных

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: диффузии, приборов, способ, пластины, силовых, полупроводниковых, изготовления, акцепторных, примесей, кремниевые

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Комаров Фадей Фадеевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Мильчанин Олег Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: диода, шоттки, изготовления, способ

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Номер патента: U 6614

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Савич Владимир Николаевич, Глоба Александр Николаевич, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович, Рыбкин Владимир Анатольевич

МПК: B05B 1/00

Метки: форсунка, центробежно-струйная

Текст:

...цилиндрического сопла находится в диапазоне от 2,8 до 3,5, а угол наклона периферийных пазов вкладыша находится в диапазоне от 15 до 20. В центробежно-струйной форсунке раздробление потока жидкости производят путем разделения поступающего потока жидкости на два, причем первый из потоков закручивают вокруг оси форсунки, пропуская его по наклонным пазам вкладыша, второй направляют по центру вдоль оси форсунки, а смешение потока...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Родин Георгий Федорович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: способ, микрорельефа, схем, изготовлении, интегральных, планаризации

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Номер патента: 13170

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C22C 19/03

Метки: никеля, основе, немагнитный, сплав

Текст:

...тины и ванадия приведет к неполному устранению магнитных свойств сплава, а значит, будет наблюдаться замыкание катодом-мишенью силовых линий магнитного поля. Это, в свою очередь, приведет к разогреву мишени и подложек, электрическим пробоям, деформации и оплавлению мишени и обусловит снижение качества металлических пленок, что ухудшает контактные свойства переходных слоев силицидов, сформированных твердофазной реакцией с кремнием...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, диода, шоттки, способ

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...