Турцевич Аркадий Степанович

Медицинский монитор пациента

Загрузка...

Номер патента: U 10309

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Лебедев Виктор Ильич, Данилович Петр Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: A61B 5/04, A61B 5/044

Метки: монитор, пациента, медицинский

Текст:

...с блоком регистрации и анализа, жидкокристаллический индикатор, кабель электропитания, на внутренние поверхности корпуса и экрана жидкокристаллического индикатора нанесено металлическое покрытие с толщиной, достаточной для обеспечения светопередачи и считывания информации пользователем, отражающее электромагнитные волны в диапазоне метровых и дециметровых волн от 10,0 до 0,3 м, причем металлическое покрытие экрана жидкокристаллического...

Способ герметизации корпуса интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Довженко Александр Алексеевич

МПК: H01L 21/56, H01L 31/0203

Метки: корпуса, интегральной, схемы, способ, герметизации

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Чиж Александр Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Блынский Виктор Иванович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Подковщиков Николай Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: стороны, металлизации, способ, прибора, формирования, обратной, полупроводникового, кристалла

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: металлизация, полупроводникового, прибора, кристалла, стороны, обратной

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: кремниевого, присоединения, прибора, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, способ

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 10016

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович, Кашковский Виктор Михайлович, Шестак Вадим Георгиевич

МПК: A61G 7/018, A61G 7/002, A61G 7/015...

Метки: механизм, трансформации

Текст:

...(трется) с поверхностями продольного и фиксирующих пазов корпуса. Характер контакта - трение скольжения с коэффициентом трения 0,15. Вследствие этого происходит истирание поверхностей продольного, фиксирующих пазов и некоторой ограниченной поверхности штифта. Износ поверхностей сокращает срок службы механизма трансформации. Заявленная полезная модель решает задачу уменьшения коэффициента трения при перемещении штока. Поставленная задача...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/56, C23C 16/30...

Метки: фосфором, пленок, кремния, осаждения, легированных, способ

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/77, H01L 27/04

Метки: микросхемы, интегральной, способ, кремниевой, изготовления

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Садовский Павел Кириллович, Плебанович Владимир Иванович, Челядинский Алексей Романович, Васильев Юрий Борисович, Белоус Анатолий Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Оджаев Владимир Борисович

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерного, способ, пластине, слоя, кремния, формирования

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Колос Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: B08B 7/00, H01L 21/44

Метки: интегральных, пленки, микросхем, способ, формирования, силицида, титана, производства

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 9741

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Кашковский Виктор Михайлович, Шестак Вадим Георгиевич

МПК: A61G 7/018, A61G 7/015, A61G 7/002...

Метки: трансформации, механизм

Текст:

...вдоль штока и имеет выемку, поверхность которой и поверхности продольного паза со стороны фиксирующих пазов расположены на одном уровне в продольном пазу корпуса между фиксирующими пазами дополнительно выполнены углубления, причем расстояние от углубления до фиксирующего паза А больше, чем расстояние от оси штифта до выемки ползунка Б, на 10-20 , а радиус кривизны углубления угл меньше радиуса кривизны штифта шт. Сопоставительный анализ...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Соловьев Ярослав Александрович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: C04B 41/51

Метки: алюмооксидных, металлизации, изоляторов, керамических, способ

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, G05D 23/00, B08B 3/02...

Метки: диоксида, химической, пластин, полупроводниковых, аэрозольной, кремния, травления, очистке, пленки, способ

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти

Загрузка...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Гайдук Петр Иванович, Новиков Андрей Геннадьевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: памяти, формирования, нанокристаллов, германия, энергонезависимой, способ

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: кремниевой, подложке, титана, формирования, способ, пленки, дисилицида

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/30

Метки: фоторезиста, полупроводниковых, после, травления, аэрозольного, полимерных, загрязнений, способ, пластин, плазмохимического, удаления, кремниевых, поверхности

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, удаления, состав, кремния, полимерных, загрязнений

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/44, B08B 3/08

Метки: алюминия, разводкой, струйной, очистки, способ, основе, поверхности, кремниевых, пластин, металлизированной, полупроводниковых

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: получения, изготовлении, изделий, микроэлектроники, бора, композиция, твердых, источников, планарных

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, создании, схем, изготовления, твердых, способ, приборов, бора, источников, интегральных, планарных

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Комаров Фадей Фадеевич, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205

Метки: пленок, осаждения, способ, тонких

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама

Загрузка...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Каленик Вера Ивановна, Наливайко Олег Юрьевич, Сидерко Александр Александрович

МПК: H01L 21/285, C23C 16/14

Метки: газовой, пленок, фазы, осаждения, вольфрама, химического, способ

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Градирня энергетической установки

Загрузка...

Номер патента: 15169

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Радкевич Валерий Александрович, Кунцевич Александр Иванович, Драко Андрей Васильевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: F28C 1/00

Метки: энергетической, установки, градирня

Текст:

...форсунки, при этом угол оси факела центральной форсунки относительно оси шахты составляет 35-39. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что капли жидкости в факеле распыла движутся по параболическим траекториям, причем восходящая часть их траекторий находится в пределах конуса, который определяется углом раствора факела. Объем, который занимают капли факела распыла (на восходящей части их траекторий),...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Способ формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности

Загрузка...

Номер патента: 15052

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Прислопский Сергей Ярославович, Гапоненко Сергей Васильевич, Борисенко Виктор Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ореховская Таисия Ивановна, Гапоненко Николай Васильевич, Меледина Марина Владимировна, Циркунов Дмитрий Алексеевич

МПК: C25D 11/12, C09K 11/77

Метки: алюминиевой, формирования, изображения, рисунка, люминесцентного, поверхности, способ, получения

Текст:

...и ксерогеля, что также ограничивает применение. Технической задачей предлагаемого изобретения является получение двухцветного люминесцентного изображения на алюминии. Поставленная техническая задача решается тем, что в способе формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности, в котором на поверхность образца наносят маску из фоторезиста, формируют в ее окнах слой пористого анодного оксида...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур

Загрузка...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Мышук Виктор Иванович, Становский Владимир Владимирович, Кривчик Петр Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C30B 25/20, H01L 21/36

Метки: эпитаксиальных, изготовления, способ, структур, кремниевых

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Способ изготовления мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович, Сарычев Олег Эрнстович, Зубович Анатолий Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/12

Метки: прибора, способ, полупроводникового, мощного, изготовления

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/28...

Метки: металлизация, интегральной, схемы

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Довнар Николай Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/28...

Метки: соединений, микросхемы, межэлементных, способ, изготовления

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Способ изготовления фотодиода

Загрузка...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Сивец Василий Иосифович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: фотодиода, способ, изготовления

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Добриян Татьяна Сергеевна, Керенцев Анатолий Федорович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 41/88, C04B 41/80

Метки: металлизации, керамических, алюмооксидных, способ, изоляторов

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластины, акцепторных, изготовления, диффузии, кремниевые, полупроводниковых, приборов, примесей, способ, силовых

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович, Мильчанин Олег Владимирович, Комаров Фадей Фадеевич, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, диода, шоттки, способ

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Центробежно-струйная форсунка

Загрузка...

Номер патента: U 6614

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович, Глоба Александр Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Рыбкин Владимир Анатольевич, Савич Владимир Николаевич

МПК: B05B 1/00

Метки: форсунка, центробежно-струйная

Текст:

...цилиндрического сопла находится в диапазоне от 2,8 до 3,5, а угол наклона периферийных пазов вкладыша находится в диапазоне от 15 до 20. В центробежно-струйной форсунке раздробление потока жидкости производят путем разделения поступающего потока жидкости на два, причем первый из потоков закручивают вокруг оси форсунки, пропуская его по наклонным пазам вкладыша, второй направляют по центру вдоль оси форсунки, а смешение потока...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Родин Георгий Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/70

Метки: микрорельефа, планаризации, интегральных, изготовлении, схем, способ

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 13170

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C22C 19/03

Метки: сплав, немагнитный, основе, никеля

Текст:

...тины и ванадия приведет к неполному устранению магнитных свойств сплава, а значит, будет наблюдаться замыкание катодом-мишенью силовых линий магнитного поля. Это, в свою очередь, приведет к разогреву мишени и подложек, электрическим пробоям, деформации и оплавлению мишени и обусловит снижение качества металлических пленок, что ухудшает контактные свойства переходных слоев силицидов, сформированных твердофазной реакцией с кремнием...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, шоттки, диода, способ

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...