Трусов Виктор Леонидович

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30, C23C 16/56...

Метки: пленок, фосфором, легированных, осаждения, способ, кремния

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: пленки, способ, интегральных, микросхем, формирования, силицида, производства, титана

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Полевой транзистор с плавающим затвором

Загрузка...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 29/788

Метки: затвором, транзистор, полевой, плавающим

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Хмыль Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Антон Викторович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/94

Метки: микросхем, интегральных, конденсатор

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Трусов Виктор Леонидович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/30

Метки: полимерных, пластин, загрязнений, травления, кремниевых, плазмохимического, аэрозольного, удаления, после, фоторезиста, поверхности, способ, полупроводниковых

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...