Трухан Владимир Михайлович

Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия тетрагональной модификации повышенной оптической прочности

Загрузка...

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 29/10, C01B 25/08, C30B 23/00...

Метки: оптической, тетрагональной, способ, получения, кадмия, дифосфида, монокристаллов, модификации, повышенной, прочности

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Многоканальное устройство для задержки оптического сигнала

Загрузка...

Номер патента: 18085

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Федотов Владимир Григорьевич, Трухан Владимир Михайлович

МПК: G02B 6/00

Метки: многоканальное, задержки, сигнала, оптического, устройство

Текст:

...из монокристалла дифосфида кадмия тетрагональной модификации. Температур- Время задерСкорость Время задержки Показатель ный коэффи- жки сигнала света в крисигнала при преломления при Т 300 К циент 400 К на мм обыкновенно- сталле при на мм толщипоказателя 300 К,толщины пластинки го луча при ны пластинки,преломления,300 К и, м / с Сущность изобретения состоит в том, что плавное изменение температуры активных элементов из...

Способ получения монокристаллического антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович, Малышев Максим Леонидович, Изотов Александр Дмитриевич

МПК: C01G 45/00, C30B 29/10, C30B 21/02...

Метки: монокристаллического, получения, способ, марганца, антимонида

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Электронный датчик гидростатического давления

Загрузка...

Номер патента: 17572

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Арсланов Расул Качалаевич, Трухан Владимир Михайлович, Сайпулаева Луиза Абдурахмановна, Камилов Ибрагимхан Камилович, Моллаев Ахмедбек Юсуфович, Нестерук Юлия Александровна, Шелег Александр Устинович

МПК: G01L 9/00

Метки: гидростатического, электронный, давления, датчик

Текст:

...на сапфире. Недостатком прототипа является сложность конструкции и невысокая точность измерения, отсутствие конкретных значений измеряемых давлений - указаны только верхние пределы, которые находятся в интервале давлений от 0,03 кПа до 1000 МПа. Задача, решаемая настоящим изобретением, состоит в измерении гидростатического давления с высокой точностью в интервале от 0 до 7 ГПа, расширении номенклатуры материалов, применяемых в чувствительных...

Поляризатор излучения света в ближней ИК-области спектра

Загрузка...

Номер патента: 16496

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: G02B 5/30, G02F 1/01

Метки: ближней, ик-области, спектра, поляризатор, света, излучения

Текст:

...3,030 3,010 2,973 2,960 2,947 2,943 2,940 2,937 2,935 2,930 2,920 2,920 0 0,738 0,742 0,744 0,748 0,751 0,753 0,754 0,755 0,756 0,757 0,758 0,759 0,760 0,761 е 3,000 2,960 2,940 2,920 2,900 2,890 2,880 2,870 2,873 2,868 2,863 2,858 2,853 2,848 е 0,751 0,756 0,758 0,760 0,761 0,762 0,763 0,764 0,765 0,766 0,767 0,768 0,769 0,770 Из приведенных в табл. 1 и на фиг. 1 сравнительных характеристик показателей преломления обыкновенного и...

Фоторезистор на основе монокристалла дифосфида кадмия

Загрузка...

Номер патента: 16089

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Лысаковская Екатерина Владимировна, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: H01L 31/09

Метки: дифосфида, основе, монокристалла, кадмия, фоторезистор

Текст:

...из фосфида кадмия 4, изменение сопротивления которого от температуры (фигура) удовлетворяет изготовлению фоторезисторов, работающих в широком температурном диапазоне. Поставленная задача решается тем, что предлагается фоторезистор на основе монокристалла дифосфида кадмия с нанесенными омическими контактами и просветляющим покрытием из оксида титана. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве материала для...

Способ получения магнитного полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 15345

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C01G 28/00, C30B 29/10, H01F 1/40...

Метки: способ, материала, получения, магнитного, полупроводникового

Текст:

...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...

Способ получения магнитного полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 15330

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01B 25/08, H01F 1/40, C30B 29/10...

Метки: материала, получения, магнитного, способ, полупроводникового

Текст:

...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович

МПК: C01G 28/00, C30B 23/06, C30B 29/10...

Метки: материалов, способ, получения, полупроводниковых, гетероструктуры, основе

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Способ получения игольчатых монокристаллов фосфида кадмия

Загрузка...

Номер патента: 14072

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 23/00, C01B 25/00

Метки: кадмия, игольчатых, способ, фосфида, монокристаллов, получения

Текст:

...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...

Способ получения магнитного полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 13391

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C30B 29/10, H01F 1/40

Метки: материала, способ, получения, магнитного, полупроводникового

Текст:

...температур (650-660) С, выдерживают температуру 0,5-1 ч, затем в течение 1,50,5 ч повышают до (930-950) С и проводят вибрационное перемешивание в течение 1,5-2 ч, понижают температуру до (610-620) С с последующими гомогенизирующим отжигом в течение 120 ч и закалкой со скоростью 5-10 град/с. На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа образца состава 0,90,12. На фиг. 2 приведены термограммы твердого раствора 0,900,102 1 - кривая...

Дефлектор лазерного луча

Загрузка...

Номер патента: 12388

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович

МПК: G02F 1/29

Метки: лазерного, луча, дефлектор

Текст:

...угла отклонения оптического луча, снижении потребляемой электрической мощности, расширении оптического диапазона частот отклоняемых оптических лучей. В заявляемом дефлекторе решение этой задачи достигается тем, что в известном дефлекторе монокристаллический активный элемент выполнен из дифосфида цинка или кадмия тетрагональной модификации с термически индуцированным в пространстве и во времени градиентом показателя преломления, при этом угол...

Устройство для визуального измерения угла поворота объекта

Загрузка...

Номер патента: 12152

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: G01B 9/00, G01B 11/26

Метки: угла, измерения, устройство, объекта, визуального, поворота

Текст:

...(вправо или влево). Это устройство измеряет углы поворота объекта только в одной плоскости. Недостатки устройства в том, что оно обладает малым быстродействием, имеет невысокую чувствительность фотоприемника и измерительной схемы, на точность измерения существенно влияют флуктуации мощности источника света, сложность в настройке. Задача изобретения - повышение точности измерения и быстродействия в условиях визуального наблюдения малых углов...

Оптический уровнемер

Загрузка...

Номер патента: 11840

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: G01F 23/22

Метки: уровнемер, оптический

Текст:

...в жидкой фазе, градиент показателя преломления практически отсутствует, поскольку теплопроводность материала, из которого выполнен детектор, и теплопроводность жидкости являются величинами одного порядка, и тепловой импульс быстро рассеивается в большой массе жидкости. При нахождении оптических детекторов в паровой фазе практически весь тепловой поток проходит через детекторы, так как теплопроводность пара более чем на порядок меньше...

Способ получения монокристалла диарсенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 11173

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 11/00

Метки: получения, монокристалла, цинка, способ, диарсенида

Текст:

...мышьяка, причем процесс синтеза и выращивания 2 ведут в вакуумированных до 10-3 Па кварцевых ампулах с коническим дном, в которые помещают исходные материалы цинк, мышьяк и дополнительную навеску мышьяка, рассчитанную на свободный объем ампулы. Откаченную и отпаянную графитизированную кварцевую ампулу помещают в двухтемпературную печь сопротивления с регулятором температуры(РИФ-101) и поднимают температуру до 600 С, и выдерживают ее в течение...

Способ получения монокристалла дифосфида кадмия тетрагональной модификации

Загрузка...

Номер патента: 11194

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: C30B 23/00

Метки: модификации, дифосфида, тетрагональной, получения, монокристалла, кадмия, способ

Текст:

...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...

Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации

Загрузка...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна, Мица Александр Владимирович

МПК: G02B 5/28, G02B 1/10

Метки: модификации, тетрагональной, просветляющее, покрытие, ахроматическое, оптического, монокристаллического, дифосфида, кадмия, элемента, двухкомпонентное

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...