Тептеев Алексей Алексеевич

Номер патента: 14849

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Савостьянова Наталья Александровна, Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 21/306, C09K 13/00

Метки: селективный, ingaasp, относительно, ingaas, слоев, травитель

Текст:

...под действием перекиси водорода происходит окисление поверхности эпитаксиального слоя с образованием соответствующих оксидов. Затем под действием молочной кислоты образованные оксиды растворяются. Чистота (марка) применяемых компонентов, используемых при изготовлении селективного травителя, определяется требованиями конкретного технологического процесса производства изделий микроэлектроники. 14849 1 2011.10.30 Выбранный состав травителя...

Номер патента: 10877

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Савостьянова Наталья Александровна

МПК: H01L 31/10

Метки: способ, изготовления, фотодиода

Текст:

...Первый этап включает химическое травление через маску из фоторезиста эпитаксиальных слоев широкозонного полупроводника р -типа итипа. Причем необходимо углубиться в узкозонный слой полупроводникатипа на глубину 0,1-0,4 микрона для гарантированного удаления слоя широкозонного полупроводникатипа. Наиболее приемлемым вариантом было бы травление ровно до границы раздела узкозонный полупроводниктипа - широкозонный полупроводниктипа. В...

Номер патента: 7142

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Шкловская Жанна Мечиславовна, Согрина Елена Вячеславовна

МПК: H01L 21/28

Метки: разводки, формирования, способ

Текст:

...напыляют слой никеля толщиной 0,15 мкм. После чего формируют фоторезистивную маску с рисунком разводки. Затем через эту маску вытравливают напыленные ранее слои металла до слоя нижнего никеля. Фоторезистивную маску удаляют. Полученный рельеф слоев металла покрывают слоем никеля толщиной 0,1-0,15 мкм и золота толщиной более 1,0 мкм соответственно через сформированную фоторезистивную маску с размерами на 2-5 мкм щире с каждой стороны, чем...

Номер патента: 3790

Опубликовано: 30.03.2001

Автор: Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 33/00

Метки: прибор, светоизлучающий

Текст:

...направленности. Эта задача достигается тем, что СП содержит концентратор из полупроводникового материала, выполненный в виде усеченного конуса с металлизированными стенками, в меньшем основании которого расположен светоизлучающий слой, а в большом - линза, что позволяет сузить диаграмму направленности и увеличить внешнюю квантовую эффективность. По сравнению с прототипом 3 предлагаемый СП имеет существенные отличия за счет того, что...