Тарасиков Михаил Васильевич

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 10288

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Поко Ольга Александровна, Купченко Геннадий Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Майонов Александр Владимирович, Купченко Владимир Геннадьевич

МПК: C22C 19/05

Метки: немагнитный, основе, никеля, сплав

Текст:

...роста значительно замедляется. Хром тормозит рост оксидных пленок 10 и 25 и снижает концентрацию дефектов в кристаллической структуре оксидного слоя, являющихся основными путями трансмиссии никеля к поверхности, а кислорода вглубь слоя. Как следствие,повышается адгезия серебра к слою сплава- С -и улучшается его паяемость, что положительно сказывается на процессе сборки уже на этапе разделения пластин на кристаллы. Сплав и распылительную...

Катодный узел

Загрузка...

Номер патента: 9560

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Чапкович Анатолий Сергеевич, Турцевич Аркадий Степанович, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: C23C 14/34

Метки: катодный, узел

Текст:

...выступов на боковой поверхности катода-мишени не обеспечивается герметичное вакуум-плотное крепление катода-мишени к водоохлаждаемому держателю. Сущность изобретения поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 схематично показано магнетронное распылительное устройство (МРУ) для ионно-плазменного напыления с катодным узлом в соответствии с прототипом, на фиг. 2 схематично показано устройство мишени для катодного узла МРУ согласно прототипу, на фиг. 3...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Тарасиков Михаил Васильевич, Зубович Анатолий Николаевич

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристаллодержателю, способ, полупроводникового, кремниевого, присоединения, прибора, кристалла

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Баранов Валентин Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...