Тарасиков Михаил Васильевич
Немагнитный сплав на основе никеля
Номер патента: 10288
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Поко Ольга Александровна, Майонов Александр Владимирович, Купченко Владимир Геннадьевич, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Купченко Геннадий Владимирович
МПК: C22C 19/05
Метки: никеля, сплав, немагнитный, основе
Текст:
...роста значительно замедляется. Хром тормозит рост оксидных пленок 10 и 25 и снижает концентрацию дефектов в кристаллической структуре оксидного слоя, являющихся основными путями трансмиссии никеля к поверхности, а кислорода вглубь слоя. Как следствие,повышается адгезия серебра к слою сплава- С -и улучшается его паяемость, что положительно сказывается на процессе сборки уже на этапе разделения пластин на кристаллы. Сплав и распылительную...
Катодный узел
Номер патента: 9560
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Чапкович Анатолий Сергеевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: C23C 14/34
Текст:
...выступов на боковой поверхности катода-мишени не обеспечивается герметичное вакуум-плотное крепление катода-мишени к водоохлаждаемому держателю. Сущность изобретения поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 схематично показано магнетронное распылительное устройство (МРУ) для ионно-плазменного напыления с катодным узлом в соответствии с прототипом, на фиг. 2 схематично показано устройство мишени для катодного узла МРУ согласно прототипу, на фиг. 3...
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Номер патента: 8885
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/60, H01L 21/58
Метки: кремниевого, присоединения, кристалла, способ, полупроводникового, прибора, кристаллодержателю
Текст:
...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...
Диод Шоттки
Номер патента: 8380
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...
Диод Шоттки
Номер патента: 7113
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...