Сычик Василий Андреевич

Номер патента: 18317

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: термоэлектрический, солнечный, холодильник

Текст:

...поглощения фотонов от воздействия солнечного излучения структурой термоэлектрического солнечного холодильника на поверхность слоя 6 нанесен слой проводящего материала 7 из светопрозрачного материала, который выполняет функцию просветляющего слоя, снижающего поверхностную рекомбинацию носителей заряда на границе -слой 6 - проводящий слой 7. Толщина проводящего слоя 7 из светопрозрачного материала ( 0,0) составляет (0,52,0) мк. При...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, полупроводниковый, солнечной, энергии

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, преобразователя, изготовления, полупроводникового, способ, солнечной

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/18, H01L 31/04

Метки: солнечной, энергии, изготовления, способ, преобразователя, полупроводникового

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Номер патента: 16935

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: изготовления, способ, гетеропереходного, светодиода

Текст:

...к -слою из узкозонного полупроводника. Средняя скорость формирования металлического слоя составляет 100200 /с, а температура нагрева основания составляет 300350 С. Стравливают плоскую поверхность полупроводникового основания р-типа методом ионно-плазменного травления для получения бездефектной структуры и удаления окисной пленки и инородной поверхностной примеси. Скорость травления составляет 3040 /с, а температура процесса 300400 С....

Номер патента: U 8749

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Соболенко Михаил Карпович

МПК: F41F 3/04

Метки: пушка, газодинамическая

Текст:

...4 в пусковом стволе 1. Впуск воздуха высокого давления из ресивера 8 высокого давления в пусковой ствол 1 и посадочную платформу 5 осуществляется через дроссельный коллектор 9, который состоит из обоймы с отверстиями, куда вставляются гильзы с фиксаторами и отверстием для прохода газа. В гильзу вставляется поворотная дроссельная заслонка (на фиг. 1 не показано) с проходным каналом для сжатого газа. Дроссельные заслонки снабжены...

Номер патента: U 8665

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Тихонов Виктор Владимирович, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03G 3/08

Метки: двигатель, инерционный

Текст:

...и подшипником скольжения 9 цилиндрические массы 10, являющиеся инерционными элементами, причем цилиндрические массы 10 скользят по беговым дорожкам корпуса 4. Для запуска движителя 1 и его торможения используются два тормоза 11. Корпус 4 двигателя 1 выполнен из стали, а его беговые дорожки отполированы до 1012 класса точности. Мотор 2 стандартного типа представляет дизельный двигатель и служит для вращения вала 5, водил 6 с инерционными...

Номер патента: U 8690

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Руденков Александр Евгеньевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: гидроэлектрическая, станция

Текст:

...химически теплостойкого материала, например бетона, в форме цилиндра, диаметр которого зависит от требуемой генерируемой мощности ГЭС и составляет 520 м, а высота - от 5 до 30 м. Вал 3 выполнен трубчатой формы для повышения его жесткости и снижения веса из стали. В верхнем основании вала 3 размещена гидротурбина 4 стандартной конструкции и максимально возможных размеров. Винтовой шнек 2 сечения выполнен спиралеобразной формы из легкого,...

Номер патента: U 8627

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: водоохлаждающее, устройство

Текст:

...мс помощью электропроводящего клея установлен на металлическом основании 12. Методом электронно-лучевого или магнетронного распылителя на торцевые стороны мструктуры с диэлектрическим слоем 11 по периметру через маску нанесен металлический слой 13, накоротко замыкающий мструктуру,то есть ее верхний и нижний омические контакты 10 и 4. Толщины слоев мструктуры определены экспериментально и равны электропроводящего светопрозрачного слоя 100,30,1...

Номер патента: U 8626

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Уласюк Николай Николаевич, Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: водоохлаждающий, элемент

Текст:

...причем толщина основания составляет 13 мкм. Габаритные размеры металлического основания 11 составляют 4848 мм, а размеры расположенной на нем структуры 4444 мм. Просветляющий слой 10 исключает потери на отражение излучения от -слоя, то есть повышает коэффициент поглощения фотонов -слоем 5. Поскольку концентрация электронов в -слое 3 при инжекции фотогенерированных электронов из слоя 5 достигает 1019 см-3 и выше, а концентрация...

Номер патента: U 8610

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: глубинная, электростанция

Текст:

...с гидравлическим аккумулятором 3,верхняя часть корпуса которого выполнена в виде усеченного пустотелого конуса и сопряжена большим основанием со второй своей частью, выполненной в форме полусферического пустотелого тела вращения. Такая конструкция гидравлического аккумулятора 3 воспринимает вращение создаваемого водоводами 8 потока и образует маховик, что обеспечивает оптимальное вращение водяного потока на требуемых оборотах, его...

Номер патента: U 8569

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Руденков Александр Евгеньевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: гидродинамическая, электростанция

Текст:

...в форме конической фигуры, из которой выходят спирали водоводов 7 с наклоном спиралей к горизонту под углом 40-60. Межосевое расстояниемежду валом 3 и каждым из водоводов 7 зависит от требуемой величины механического 2 85692012.10.30 момента на валу 3, то есть генерируемой мощности, и находится в пределах от 1 до 3 метров. Водоводы 7 механически жестко связаны с валом 3 перемычками 8 пустотелой формы. На горизонтальных участках водоводов 7...

Номер патента: 16464

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: светодиод, гетеропереходный

Текст:

...1 второй гетеропереход, то есть сформирована двойная-, -гетероструктурой. Полупроводниковое основаниетипа 1, -слой 2 собственного полупроводника и-слой 3 выполнены из полупроводников, обладающих большой подвижностью носителей заряда, большой диффузионной дли 2 16464 1 2012.10.30 ной, низкой концентрацией собственных носителей заряда. Толщина -слоя 2 определяется стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через...

Номер патента: U 8473

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Тихонов Виктор Владимирович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01M 8/16

Метки: установка, биогазовая, топливная

Текст:

...12, обеспечивает непрерывную подачу сырья 6 в увлажнитель сырья 3, где он заполняется водой до уровня влажности 87-92 . Газгольдер 2 осуществляет аккумуляцию и сбор генерируемого газа. Сифон 14 стандартной конструкции и заданных размеров, связанный с поплавком 16 и заслонкой 17, предотвращает утечку генерированного в БГТУ биогаза в атмосферу. Шнековый пульпоудалитель 15 стандартной конструкции и заданных размеров обеспечивает...

Номер патента: U 8467

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: G01J 5/00

Метки: тепловых, излучений, контроля, устройство

Текст:

...фильтра 1 с наружной стороны объектива 2 позволяет улучшить работоспособность устройства путем повышения точности измерений, а также разрешающей способности и чувствительности. Это достигается вследствие отсекания инфракрасным фильтром 1 видимых и ультрафиолетовых лучей и ликвидации эффекта фотон-электронного взаимодействия в объективе, искажающего истинную картину разделения интенсивности фотонного потока. С этой же целью пространство...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразования, энергии, электрическую, солнечной, устройство

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Номер патента: U 8423

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Саперов Анатолий Григорьевич, Уласюк Николай Николаевич

МПК: H03M 13/00

Метки: двунаправленного, обмена, устройство, информацией

Текст:

...для осуществления двунаправленного обмена, блокэлементов 4, подключаемый при передаче данных, модуль 5 (ВУ, БП, БС и ПЭ, подключаемые в режиме приема данных), ЦАП 6, АЦП 7 и ФНЧ 8. Схема ЛППМ 3 содержит -разрядный регистр сдвига 9, -разрядный регистр сдвига 10, предназначенный для хранения кусочно-непрерывной апериодичной функции,блок вентилей 11 для логического перемножения значений разрядов блока 9 на соответствующее значение отсчетов...

Номер патента: U 8166

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дручик Светлана Сергеевна, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: гидроэлектростанция

Текст:

...электрической мощности, и находится в пределах 1050 м 2. Высота -образного водовода 1 (корпуса) над уровнем воды зависит от требуемого перепада давлений, скорости течения воды из сопла и составляет от 5 до 10 метров, а угол наклона нисходящей части -образного водовода 1 с соплом 2 выбирается так,чтобы гидротурбина 3, на которую воздействует вытекающий из сопла 2 высокоэнергетический водяной поток, размещалась на прибрежном бетонном...

Номер патента: U 8007

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Руденков Александр Евгеньевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: гравитационная, гидроэлектростанция

Текст:

...со второй цепной передачей 7. Вал 3 и вал 4 установлены на подшипниках в корпусе 10 ГГЭС. Вал 3 с ведущей зубчатой шестерней 1, на котором размещен маховик 11, механически посредством редуктора 12 связан с электрическим генератором 13. Режим работы функциональных узлов ГГЭС контролируется и управляется блоком управления 14. Водозаборные короба 8 наполняются рабочей жидкостью (водой) из бассейна или реки 15, на которой имеется естественный...

Номер патента: 15155

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: термоэлектрический, холодильник, солнечный

Текст:

...подложке, на столбиковую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, -слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. В соответствии с результатами расчета оптимальная высота столбиков диаметром(50200) микрон составляет (50150) микрон, а расстояние между столбиками (50100) микрон. В результате суммарная площадь фоточувствительной структуры типа-...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович, Денисенко Михаил Фёдорович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователя, энергии, электрическую, способ, солнечной, изготовления

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Денисенко Михаил Фёдорович, Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, солнечной, энергии, электрическую

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Номер патента: 15154

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: холодильника, солнечного, изготовления, термоэлектрического, способ

Текст:

...процесса диффузии бора 10001100 С, а время процесса составляет 0,30,5 часа. Методом термической диффузии на поверхности кремниевой монокристаллической области (подложки) формируют сильнолегированный слой-типа толщиной 0,10,3 мкм введением акцепторной примеси - бора с концентрацией (10201021) см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 С, а время процесса составляет 0,20,5 часа. На сформированный-слой широкозонного полупроводника со...

Номер патента: 15174

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: солнечного, способ, холодильника, термоэлектрического, изготовления

Текст:

...арсенида галлия, легированный -акцепторной примесью с концентрацией 31020 см-3, толщиной 0,1 микрон, который является омическим контактом к решетчатому верхнему металлическому контакту солнечного термоэлектрического холодильника -, осуществляют при температуре основания 400450 С со средней скоростью 2030 /сек. На торцевую сторону солнечного термоэлектрического холодильника по периметру наносят защитный диэлектрический слой диоксида кремния (2)...

Номер патента: U 7584

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Клепко Валентин Валентинович, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03D 1/00

Метки: станция, ветроэлектрическая

Текст:

...генератором 10. Нижняя секция пустотелого секционного вала 4 совместно с редуктором 8, электрическим генератором 10 и блоком управления 12 защищены кожухом 13, а на вершине вертикальной опоры 2 размещена защитная крышка 14. Основание 1 заданных размеров изготовлено из железобетона и размещено на грунте. Вертикальная опора 2 цилиндрической формы изготовлена из прочного, химически стойкого материала, например стали, диаметр которой...

Номер патента: U 7485

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Уласюк Николай Николаевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H02M 5/12

Метки: напряжения, регулируемый, переменного, преобразователь

Текст:

...тринисторных пар 3, 4, 5 соединены с устройством управления тиристорами 6, которое электрически связано с управляющим выпрямительным мостом. Фазные вторичные обмотки 2 фаз А, В, С подключены к силовой нагрузке 7. Включение встречно-параллельно соединенных тринисторных пар 3, 4, 5 в первичные фазные обмотки 1 трехфазного трансформатора обусловливает минимизацию активных потерь в трансформаторе и обеспечивает повышение КПД устройства и амплитуды...

Номер патента: U 7446

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Тихонов Виктор Владимирович

МПК: F04C 19/00

Метки: машина, жидкостно-кольцевая

Текст:

...соединен с электродвигателем. Сущность полезной модели поясняет фигура, где изображена конструкция жидкостнокольцевой машины. Конструктивно жидкостно-кольцевая машина (ЖКМ) состоит из корпуса 1 со стойками 2, в которых установлены подшипники 3. Барабан 4 цилиндрической формы размещен на валу 5, установленном на подшипниках 3. На корпусе 1 ЖКМ размещены стойки 6 камеры сжатия с подшипниками 7. Камера сжатия 8 размещена на валу 9, который...

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, полупроводниковый

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...

Номер патента: U 7182

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Кочергин Сергей Николаевич

МПК: G03B 17/00

Метки: кисть, световая

Текст:

...и диафрагмой с фиксированным диаметром, причем объектив механически связан с источником светового излучения посредством первой переходной муфты, диафрагмы с фиксированным диаметром и второй переходной муфты. Сущность полезной модели поясняет чертеж, где на фиг. 1 изображена конструкция световой кисти. Конструктивно световая кисть состоит из фотографического объектива 1, первой переходной муфты 2, диафрагмы с фиксированным диаметром 3, второй...

Номер патента: U 7181

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Кочергин Сергей Николаевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: G03B 19/00

Метки: фотокамера, универсальная

Текст:

...осях крепятся объективная панель и кассетная стенка при этом в центрах П-образных рамок размещены резьбовые стержни с гайками, установленными на верхних плоскостях оснований вертикальных стоек. Сущность полезной модели поясняет чертеж, где на фиг. 1 изображена конструкция универсальной фотокамеры, а на фиг. 2 - конструкции составных частей универсальной фотокамеры. Конструктивно универсальная фотокамера состоит из корпуса,...

Номер патента: 13838

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Русан Викентий Иванович, Прищепов Михаил Александрович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H02K 21/14

Метки: магнитоэлектрической, ротор, машины

Текст:

...из материала с малым удельным электрическим сопротивлением (медь или алюминий) и имеющим большую длину, чем магнитная система, образованная постоянными магнитами 3 и ферромагнитными сегментами 4. Выступающие обе части 7 цилиндра 6 выполнены одинаковой длины в. Как показали результаты эксперимента, длина выступающей части немагнитного цилиндра в должна равняться 0,1-0,2 его активной части а. Работает ротор следующим образом. Ввиду того...

Номер патента: U 6900

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Тихонов Виктор Владимирович, Сычик Василий Андреевич

МПК: G21C 1/00

Метки: реактор, энергетический

Текст:

...металлизация 4 из термостойких материалов (, , ), к которой подведен отрицательный электрод с-25 кВ. 2 69002010.12.30 В основании корпуса 1 имеется проем, к которому посредством электромагнитного клапана подведена система откачки с вакуумным насосом 11, обеспечивающим вакуум в кипящей активной зоне 2 порядка 10-6 Па. Установленный на корпусе 1 водоохлаждаемый кожух 5 выполнен из термостойкого,механически прочного материала с высокой...

Номер патента: U 6670

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H02K 19/00

Метки: генератор, тока, переменного

Текст:

...на стойках 11 корпуса генератора 1. На фиг. 2 изображена схема включения статорных обмоток 5 на электрощите, установленном на корпусе генератора 1, которые соединены по схеме звезда. 2 66702010.10.30 На фиг. 3 представлена схема подключения обмоток возбуждения 7 роторов секционных однофазных генераторов к питающему напряжению постоянного тока. Для обеспечения постоянства тока возбуждения в во всех обмотках возбуждения и магнитного потока...

Номер патента: U 6298

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, излучений, полупроводниковый, оптических

Текст:

...эпитаксии, представляющий твердый раствор интерметаллического соединения 1. Параметр степени концентрации компонента в раствореизменяется от ну 21 ля до единицы, причем со стороны -слоя 4 из узкозонного полупроводника он представляет материал этого слоя -, а со стороны -области - перехода 2 - материал этой 2 области, то есть соединение 1. Например, если материалом -области - перехода являетсяс 21,43 эВ, а материалом -слоя 4 -с 30,36...

Номер патента: U 6251

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: G01K 7/16

Метки: температуры, преобразователь, полупроводниковый

Текст:

...Информационный омический контакт 6 к полупроводниковому основанию 1 с внешним выводом представляет слой толщиной 1,0-2,0 мкм на сильнолегированной области полупроводникового основания 1. Диэлектрический слой 2, нанесенный на полупроводниковое основание 1, обладает высокими изоляционными свойствами, его толщина 1-3 мкм. Он может формироваться из оксида кремния или оксида алюминия. Полупроводниковый слой 3 выполнен из более широкозонного...

Номер патента: U 6179

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Асанов Геннадий Васильевич, Асанов Владимир Геннадьевич

МПК: H02K 57/00

Метки: электростанция

Текст:

...постоянного тока вп с выпрямителя 9 и ак с аккумулятора 10 на электродвигатель 1. Работой электронного коммутатора 11, электродвигателя 1, электромагнитной муфты 4 и электрогенератора 6 управляет блок управления 12. Электродвигатель 1 реализован конструкцией, где используется ротор большого диаметра (2) м, который создает на валу большой крутящий момент более 100 Нм. Для его электропитания используется преобразователь переменного...

Номер патента: U 6061

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Сычик Андрей Васильевич, Сычик Людмила Николаевна, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: многосекционная, электростанция, поплавковая, речная

Текст:

...соединены с поплавками 3. На попарно расположенных по ширине подвижных стойках 2 на роликоподшипниках размещены валы 4 с турбинными колесами 5. Подвижные цилиндрические стойки 2 имеют проемы, высота которых определяется диаметром турбинных колес 5, глубиной их погружения в воду, минимальным уровнем глубины реки и составляет от 1,0 до 5 метров. Длина, ширина и толщина поплавков 3, которые изготавливаются в форме пустотелых параллелепипедов из...

Номер патента: U 5976

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Асанов Геннадий Васильевич

МПК: H02K 19/00

Метки: переменного, тока, генератор, многосекционный

Текст:

...подается напряжение, создающее в обмотке возбуждения 17 2 59762010.02.28 ротора каждого однофазного генератора ток возбуждения в. Концы обмотки возбуждения 17 подсоединены к коллектору 18. На фиг. 3 изображена схема включения статорных обмоток 14 на электрощите, установленном на статоре первого секционного генератора переменного тока 1, которые соединены по схеме Звезда. Магнитопровод статора 14 и магнитопровод ротора 16 выполнены из...

Номер патента: U 5884

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Асанов Геннадий Васильевич

МПК: H02K 23/00

Метки: тока, электродвигатель, постоянного

Текст:

...10 с пазами 11, в которых уложена обмотка 12 якоря. Магнитопровод 10 ротора неподвижно соединен со ступицей 13 вала 7 спицами 14. В статоре ЭДПТ размещено четыре магнитных сердечника 2 с обмотками 3, которые представляют 4 пары полюсов, причем обмотки 3 статора соединены последовательно. Они создают оптимальный по величине магнитный поток Ф и обеспечивают заданную частоту магнитного поля индуктируемой в обмотке 12 якоря ЭДС....

Номер патента: U 5819

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Асанов Геннадий Васильевич

МПК: F03B 13/00

Метки: бесплотинная, электростанция, речная

Текст:

...размещенными на основаниях, например на анкерной опоре 7. При изменении уровня воды в реке отбойники 6 остаются погруженными в воду на неизменную глубину 0,5-1,5 м и на турбинное колесо 3 поступает неизменный поток воды, обеспечивая устойчивое вращение турбинного колеса 3. Отбойники 6 представляют сваренные стальные листы толщиной 2 мм с полостями посредине, их ширина составляет 0,7-2,5 м, а длина 8-10 м. Угол их сужения для повышения 2...