Шикуло Владимир Евгеньевич

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Наливайко Олег Юрьевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: способ, изготовления, кремниевой, микросхемы, интегральной

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Система определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки

Загрузка...

Номер патента: U 9421

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Полыко Валерий Владимирович, Цивако Алексей Александрович, Бордусов Сергей Валентинович, Мадвейко Сергей Игоревич, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H05H 1/00

Метки: процессов, определения, среды, проведения, обработки, плазмообразующей, оптимального, давления, система, плазмохимической, свч

Текст:

...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...

Полевой транзистор с плавающим затвором

Загрузка...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/788

Метки: транзистор, затвором, плавающим, полевой

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Сенько Сергей Федорович, Трусов Виктор Леонидович, Алиева Наталья Васильевна, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральных, микросхем, конденсатор

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: состав, удаления, полимерных, кремния, поверхности, загрязнений

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: остатков, состав, интегральных, микросхем, металло-кремнийорганических, кремниевых, удаления, полимерных, изготовлении

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Фильтрующее устройство

Загрузка...

Номер патента: U 1983

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Гракович Петр Николаевич, Станкевич Виктор Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плескачевский Юрий Михайлович, Селькин Владимир Петрович

МПК: B01D 29/05

Метки: устройство, фильтрующее

Текст:

...элементом и выходным отверстием напротив выходного отверстия, согласно полезной модели, опорный перфорированный диск содержит неперфорированный участок, расположенный напротив выходного отверстия, причем проекция перфорированного участка на плоскость, на которой расположено выходное отверстие, перекрывает площадь выходного отверстия, кроме того, входное и выходное отверстия располагают на одной оси.На фиг. 1 изображено фильтрующее...