Сенько Сергей Федорович

Номер патента: U 10679

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Виктор Андреевич, Романов Игорь Михайлович, Посылкина Ольга Ивановна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытие, защитное, многослойное

Формула / Реферат:

Многослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся тем, что упомянутые чередующиеся слои выполнены из нитрида иМногослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся...

Номер патента: U 10678

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Карпович Дмитрий Семенович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Комаровская Виктория Маратовна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 28/00

Метки: режущий, инструмент

Формула / Реферат:

Режущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев оРежущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов...

Номер патента: U 10238

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович, Ших Сергей Константинович

МПК: B41M 3/00, C23C 28/00

Метки: изделие, изображение, голографическое, содержащее

Текст:

...на поверхности слоя полиметилметакрилата без разрушения его объема обеспечивает как сохранение голографического рельефа, так и формирование предельно тонкого адгезионного слоя. Это обеспечивается использованием разбавленных (до 10 ) растворов кислот или щелочей при температуре не более 60 С. Среду гидролиза и фактические режимы выбирают с учетом конкретного изделия и его химической стойкости. По сути, слой полиметакриловой кислоты является...

Номер патента: U 10231

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Посылкина Ольга Ивановна, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич

МПК: C23C 28/00

Метки: режущий, инструмент

Текст:

...размеров зерна. Это обусловлено как начальной стадией его роста, так и отчасти явлением наследования структуры. Толщину слоя соединения тугоплавкого металла для предотвращения увеличения размеров зерна также выбирают невысокой. Дальнейшая конденсация нового слоя на основе титана вследствие несоответствия типа кристаллических решеток также способствует получению мелкозернистой структуры. Многократное повторение рассматриваемой процедуры...

Номер патента: U 10230

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Посылкина Ольга Ивановна, Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/00

Метки: защитное, многослойное, покрытие

Текст:

...слоев обеспечивает необходимую толщину покрытия в целом и его высокие защитные и упрочняющие свойства. На начальном этапе роста пленки титана размер ее зерен очень мал. Если толщину пленки зафиксировать на данном этапе и нанести поверх нее новый слой, в частности, соединения титана, то структура нового слоя также будет мелкозернистой. Это обусловлено как начальной стадией ее роста, так и отчасти явлением наследования структуры....

Номер патента: 18554

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович

МПК: B32B 15/00, G02B 5/32

Метки: покрытие, изображения, защитное, голографического

Текст:

...получить сплошные пленки. На планарных участках изделия пленки такой толщины являются сплошными, но на голографическом микрорельефе они являются островковыми, вследствие чего изделие приобретает склонность к локальному расслоению и потере потребительских качеств. При толщине слоя хрома более 20 нм, например 40 нм, он заметно теряет прозрачность и приобретает хрупкость, что заметно ухудшает игру света на голографическом изображении и...

Номер патента: 18560

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович

МПК: B42D 25/328, B44F 1/00, B32B 15/00...

Метки: изображение, содержащее, голографическое, изделие

Текст:

...защитного покрытия в целом. Толщина слоя хрома менее 10 нм, например 5 нм, не позволяет получить сплошные пленки. На планарных участках изделия пленки такой толщины являются сплошными, но на голографическом микрорельефе они являются островковыми, вследствие чего изделие приобретает склонность к локальному расслоению и потере потребительских качеств. При толщине слоя хрома более 20 нм, например 40 нм, он заметно теряет прозрачность и...

Номер патента: 18277

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Белый Алексей Владимирович, Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович

МПК: B82Y 30/00, B42D 15/00, C23C 14/20...

Метки: голографическим, способ, изображением, изготовления, изделия

Текст:

...дисперсию света на голографическом изображении. Диоксид кремния является абсолютно прозрачным, чрезвычайно химически стойким и очень твердым материалом. Он характеризуется высокой адгезией к слою халькогенида и защищает его от воздействия внешних факторов, в частности от окисления влагой воздуха, а также повышает износостойкость защитного покрытия в целом. Дополнительным преимуществом многослойного покрытия является усиление игры света за...

Номер патента: U 9980

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Белый Алексей Владимирович, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: F42B 30/02

Метки: пуля

Текст:

...однако очевидно, что сумма диаметров этих отверстий не может превышать длину окружности за вычетом суммарной длины перемычек. Так как длина окружности у основания конуса хвостовой части составляет 3,1 К (К - калибр пули), количество отверстий при ширине перемычки, равной диаметру этих отверстий, составит 3,14 К/0,2 К 15. При расположении отверстий в два ряда их количество удваивается. Наиболее практичным является использование...

Номер патента: U 9979

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Биленко Эдуард Григорьевич, Белый Алексей Владимирович

МПК: F42B 03/02

Метки: пуля

Текст:

...в головную часть,что также отрицательно сказывается на аэродинамической устойчивости. Бронебойный сердечник может быть изготовлен из различных материалов высокой твердости, в том числе из стали. В последнем случае дополнительное повышение твердости бронебойного сердечника может быть достигнуто использованием упрочняющих по 3 99792014.02.28 верхностных слоев. Наличие упрочняющего покрытия на поверхности стального сердечника служит, с одной...

Номер патента: U 9978

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Колесникова Алла Алексеевна, Белый Алексей Владимирович

МПК: F42B 30/02

Метки: пуля, бронебойная

Текст:

...Таким образом, упрочняющий слой в составе заявляемой пули выполняет одновременно три функции. В качестве материала упрочняющего слоя наиболее предпочтительным является использование легированного материала самого сердечника, т.е. поверхность готового стального сердечника подвергают термическому или ионному легированию,например азотом, в результате чего образуется упрочненный слой толщиной до 50 мкм. Могут быть использованы и другие...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, межуровневая, приборов, диэлектрическая, изоляция

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, межуровневой, диэлектрической, изоляции, изготовления, способ, полупроводниковых

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Номер патента: U 9280

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/24

Метки: абразивного, металлического, покрытия, устройство, порошка, вакуумного, частицы, нанесения, материала

Текст:

...плотность абразивного материала, установленный под углом к вертикали с возможностью вращения с частотой от 10 до 20 об/мин, ось вращения контейнера расположена под углом 5-10 к его собственной оси с точкой пересечения осей вблизи верха контейнера. Сущность заявляемого технического решения заключается в интенсификации перемешивания частиц порошка за счет увеличения числа степеней свободы перемещения тел качения. Увеличение числа степеней...

Номер патента: U 9270

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Рудак Павел Викторович, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Куис Дмитрий Валерьевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы отличаются от радиуса атомов титана не более чем на 12 , что обеспечивает образование твердых растворов замещения в широком интервале концентраций. Присутствие инородных атомов в процессе кристаллизации пленки титана препятствует образованию крупных...

Номер патента: U 9269

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Жижченко Алексей Геннадьевич, Карпович Дмитрий Валерьевич, Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович, Гапанович Ольга Ивановна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...и упрочняющей пленкой на основе соединений тугоплавких металлов, адгезионная пленка толщиной 0,1-2,0 мкм выполнена на основе твердого раствора хрома, или циркония, или молибдена в титане при концентрации примеси 0,5-3,0 . Сущность заявляемого технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы...

Номер патента: U 9268

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Гапанович Ольга Ивановна

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытие, многослойное, защитное

Текст:

...зерен. Структура вместо столбчатой становится мелкозернистой, что сопровождается дополнительным повышением прочности. Кроме того, рассматриваемые твердые растворы характеризуются более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая...

Номер патента: U 9267

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Виктор Андреевич, Пискунова Ольга Юрьевна, Емельянов Антон Викторович, Комаровская Виктория Маратовна

МПК: C23C 14/00

Метки: многослойное, защитное, покрытие

Текст:

...более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая совокупность свойств рассматриваемых легирующих элементов позволяет получать высокопрочные пленки легированных слоев при одновременном уменьшении размеров зерен. Наличие...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Алиева Наталья Васильевна, Трусов Виктор Леонидович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 29/788

Метки: затвором, транзистор, полевой, плавающим

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Алиева Наталья Васильевна, Сенько Сергей Федорович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Антон Викторович, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/94

Метки: конденсатор, интегральных, микросхем

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: U 8833

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович

МПК: C23C 28/00, B42D 15/00, B41M 3/00...

Метки: голографическое, изделие, содержащее, изображение

Текст:

...этого слоя относительно невысока, в связи с чем его необходимо дополнительно защищать слоем инертного материала, в качестве которого выбран диоксид кремния. Диоксид кремния является абсолютно прозрачным, чрезвычайно химически стойким и очень твердым материалом. Он защищает слой сульфида цинка от воздействия внешних факторов, в частности от окисления влагой воздуха, а также повышает износостойкость защитного покрытия в целом....

Номер патента: U 8832

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Белый Алексей Владимирович, Сенько Сергей Федорович, Ших Сергей Константинович

МПК: C23C 28/00, B42D 15/00, B41M 3/14...

Метки: покрытие, голографических, защитное, изображений

Текст:

...кремния. Диоксид кремния является прозрачным, химически стойким и очень твердым материалом. Он защищает слой сульфида цинка от воздействия внешних факторов, в частности от окисления влагой воздуха. Толщина слоя хрома менее 10 нм, например 5 нм, не позволяет получить сплошные пленки. На планарных участках изделия пленки такой толщины являются сплошными, но на голографическом микрорельефе они являются островковыми, вследствие чего изделие...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: изготовления, пластины, полупроводниковой, кремния, способ

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, изоляция, полупроводниковых, диэлектрическая, межуровневая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Номер патента: 15987

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 28/00

Метки: способ, покрытия, режущем, упрочняющего, формирования, инструменте

Текст:

...15987 1 2012.06.30 предшествующего слоя и заполняет все впадины неровностей, за счет чего и достигается планаризация поверхности. Далее проводят сушку и термообработку пленки. Кремнийорганическое соединение при этом гидролизуется с образованием стекловидной пленки диоксида кремния, обладающей хорошей адгезией к различным упрочняющим покрытиям. Полученная таким образом пленка на основе диоксида кремния сглаживает шероховатость и другие...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремниевых, геттерирующее, покрытие, пластин, полупроводниковых

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Номер патента: 15744

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...оксид титана или тантала легко растворяется в силициде, в результате чего барьер для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера в виде оксидной пленки исчезает. Эти силициды создают наименьшие механические напряжения в получаемой пластине. Кроме этого, рассматриваемые силициды образуют самоформирующиеся слои. Это значит, что они не растворяются во всем объеме полупроводниковой подложки,а существуют только в виде локализованного...

Номер патента: 15747

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: функционального, покрытия, формирования, пластин, способ, ориентации, полупроводниковых, кремниевых, 001

Текст:

...по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию...

Номер патента: 15754

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевая, ориентации, 001, пластина, полупроводниковая

Текст:

...второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов),глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности...

Номер патента: 15753

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: способ, кремниевых, формирования, пластин, ориентации, покрытия, полупроводниковых, 001, функционального

Текст:

...в качестве первичного элемента островка и соответственно островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е....

Номер патента: 15746

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: полупроводниковая, 001, ориентации, пластина, кремниевая

Текст:

...различного размера и фрактальный характер их взаимного расположения обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что...

Номер патента: 15741

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: пластина, ориентации, 001, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом...

Номер патента: 15740

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: пластина, 001, ориентации, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...(т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется...

Номер патента: 15752

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, структура, кремниевая, ориентации, 001

Текст:

...к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных...

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 001, полупроводниковых, ориентации, пластин, изготовления, кремния, способ

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, способ, 001, ориентации, пластин, изготовления, полупроводниковых

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, изготовления, способ, пластин, ориентации, кремния, 001

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: геттерирующего, полупроводниковых, покрытия, формирования, пластин, способ, кремниевых

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/34, H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, изготовления, способ, пластин, кремния

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...