Сасновский Владимир Арестархович

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Гайдук Сергей Иванович, Сасновский Владимир Арестархович, Чаусов Виктор Николаевич, Балбуцкий Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, способ, горизонтальных, изготовления, транзисторов, схем, р-п-р

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Номер патента: 1612

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Тихонов Владимир Ильич, Наливайко Олег Юрьевич, Буляк Борис Николаевич, Кабаков Михаил Михайлович, Сасновский Владимир Арестархович, Макаревич Игорь Иванович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: получения, способ, пленок, стекла, фосфоросиликатного

Текст:

...легирования пленки фосфором по пластине и по загрузке и предотвращает образование в газовой фазе не только частиц 2, но и Н 2 О 4, Р 25, Р 23, что обеспечивает преимущественное образование Р 25 уже непосредственно на подложке без осаждения на нее частиц Р 25, Р 23 из газовой фазы, приводящего к локальным неоднородностям легирования пленки фосфором. Выбор отношения объемных потоков 3/4 и объемного потока аммиака сделан на основе...