Пуцята Владимир Михайлович
Высоковольтный быстродействующий диод
Номер патента: 16468
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Сарычев Олег Эрнстович, Пуцята Владимир Михайлович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Метки: диод, быстродействующий, высоковольтный
Текст:
...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...
Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов
Номер патента: 11325
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Пуцята Владимир Михайлович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, приборов, многослойное, высоковольтных, пассивирующее, покрытие
Текст:
...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...