Постнова Лариса Ивановна

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Якимович Владимир Никифорович, Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: выращивания, обработки, кристаллов, термической, шихты, способ, селенида, цинка

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна

МПК: G02B 1/10, C30B 29/48, C30B 23/06...

Метки: выращивания, пористом, кремнии, пленок, селенида, цинка, эпитаксиальных, способ

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Номер патента: 13546

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, определения, способ, коэффициента

Текст:

...слоя измеряют оптическую плотность пластины А и определяют коэффициент диффузиииз выражения 2 где 0 - поверхностная концентрация- координата вдоль направления диффузии- время процесса отжига,и затем определяют искомый коэффициент диффузиив соответствии с выражением. Новым, по мнению авторов, является то, что процесс отжига происходит в течение 6 ч при температуре 10431,0 С, толщина удаляемого слоя составляет 6020 мкм, процедуруопределяют...

Номер патента: 11644

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович

МПК: C30B 29/10, G02B 5/22, C30B 23/00...

Метки: отрезающих, изготовления, фильтров, способ

Текст:

...кварцевой ампуле и перепаде температуры между зонами испарения и кристаллизации 20-35 С и охлаждают его до комнатной температуры. Способ осуществляется следующим образом. Кристалл твердого раствора 1- с градиентом состава в направлении роста выращивают из паровой фазы из смеси предварительно синтезированных бинарных компонент ( и ) в вакуумированной кварцевой ампуле, в горизонтальной трубчатой печи при температуре кристаллизации 1150-1200...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Кулешов Николай Васильевич, Левченко Владимир Иванович, Сорокина Ирина Тиграновна, Щербицкий Виктор Георгиевич, Кисель Виктор Эдвардович

МПК: C30B 31/00, C30B 33/00, C30B 29/10...

Метки: способ, кристаллов, легирования, цинка, хромом, селенида

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...