Плебанович Владимир Иванович

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Оджаев Владимир Борисович, Садовский Павел Кириллович, Челядинский Алексей Романович, Белоус Анатолий Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Плебанович Владимир Иванович, Васильев Юрий Борисович

МПК: H01L 21/322

Метки: слоя, пластине, способ, геттерного, формирования, кремния

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Номер патента: 14499

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Вечер Дмитрий Вячеславович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Карпович Дмитрий Викторович

МПК: C23F 1/46

Метки: регенерации, кислоты, способ, раствора, ортофосфорной

Текст:

...Регенерация раствора ортофосфорной кислоты выполнялась путем периодической подачи воды в отработанный раствор, охлажденный до температуры (905) С и непрерывно циркулирующий в течение 2-2,5 ч. Затем производился нагрев восстановленного раствора 34 до температуры (1605) С и выполнялся процесс травления пленки нитрида кремния. Результаты представлены в табл. 3. Пример 4. Для проведения регенерации по заявляемому способу был выбран...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Колос Светлана Валентиновна

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: материал, контакта, кремнию, омического, тонкопленочного

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: травления, кремния, пленок, поликристаллического, состав

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 11859

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Пшеничный Евгений Николаевич, Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: G05D 23/00, F24H 9/02, B01F 03/04...

Метки: подачи, установки, жидкого, осаждения, устройство, газовой, реактор, паров, фазы, вещества, химического

Текст:

...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Бахматова Надежда Андреевна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна

МПК: G03F 7/32

Метки: фоторезиста, позитивного, состав, проявления

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович

МПК: B08B 11/00

Метки: поливинилхлоридной, способ, виде, отборника, трубки, проб, гибкой, очистки, выполненного, деионизованной, воды

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02, C09K 13/00

Метки: поверхности, кремниевой, очистки, контроля, ph больше 7, растворе, способ, качества, химической, пластины, полупроводниковой

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/52, H01L 21/02...

Метки: системы, полупроводниковых, изготовления, металлизации, способ, кремниевых, приборов

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10214

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: контроля, изделия, способ, качества, поверхности

Текст:

...областью в виде квадратного фрагмента размером . Фактический диаметр изображения всей поверхности пластины составляет 200 мм (1000 мм, т.е./2), фактический размер изображения фрагмента, т.е.40 мм (примечание в данном случае при печати все размеры несколько уменьшены). На фиг. 3 приведен упомянутый выделенный фрагмент изображения поверхности пластины с разделением его на четыре равных элемента размером , с усреднением яркости изображения...

Номер патента: 10213

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: качества, контроля, способ, изделия, поверхности

Текст:

...таких поверхностей лучшую планаризацию. Материалы разных слоев покрытия также могут быть разными. Шероховатость поверхностей, используемых в изделиях микроэлектроники, оптики,точного машиностроения и др. областей науки и техники, где наличие дефектов поверхности является одним из показателей ее качества, соответствует преимущественно 6-14 классам. Поверхности 13-го и 14-го класса шероховатости являются зеркальными. Для контроля их качества...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: кремниевых, изготовлении, остатков, микросхем, металло-кремнийорганических, состав, полимерных, интегральных, удаления

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турыгин Анатолий Викторович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: состав, пленок, поверхности, алюминия, химической, очистки, основе

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...