Наливайко Олег Юрьевич

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...

Метки: фосфором, легированных, кремния, осаждения, пленок, способ

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Малый Игорь Васильевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/77, H01L 27/04

Метки: способ, кремниевой, интегральной, изготовления, микросхемы

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Гайдук Петр Иванович, Новиков Андрей Геннадьевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: энергонезависимой, формирования, способ, германия, памяти, нанокристаллов

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: способ, осаждения, пленок, тонких

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сидерко Александр Александрович, Каленик Вера Ивановна, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/285, C23C 16/14

Метки: фазы, газовой, осаждения, вольфрама, пленок, химического, способ

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Соловьев Ярослав Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 16/455, B05D 5/12, H01L 21/02...

Метки: полуизолирующего, осаждения, кремния, поликристаллического, пленки, способ

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 11859

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Сидерко Александр Александрович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: F24H 9/02, G05D 23/00, B01F 03/04...

Метки: фазы, осаждения, устройство, установки, вещества, паров, жидкого, газовой, химического, реактор, подачи

Текст:

...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...

Номер патента: 4154

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Смагин Дмитрий Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Сидерко Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/316

Метки: получения, способ, пленки, борофосфоросиликатного, стекла

Текст:

...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Буслов Игорь Иванович, Наливайко Олег Юрьевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/316

Метки: фосфоросиликатного, пленок, способ, осаждения, стекла

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, изготовления, обкладки, конденсатора, поликристаллического, способ

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...

Номер патента: 2883

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Сосновский Владимир Арестархович, Турцевич Аркадий Степанович, Макаревич Игорь Иванович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, пленки, фосфоросиликатного, осаждения, стекла

Текст:

...существенно снижается концентрация соединений фосфора на выхлопе реактора, что позволяет использовать скруббер без дожигания. В выбранном диапазоне температуры испарителя давление паров диметилфосфита составляет 1.812 мм рт. ст. При температуре испарителя ниже 20 С усложняется управление процессом по концентрации фосфора и не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления паров ДМФ....

Номер патента: 2531

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Тихонов Владимир Ильич, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: фосфоросиликатного, пленок, стекла, способ, осаждения

Текст:

...определяется именно этим соотношением. Поэтому контроль за содержанием фосфора в пленке предельно облегчается. Кроме того, так как не используется фосфин, то и уровень привносимой дефектности снижается и повышается однородность осаждаемых пленок по толщине, а также реализуется процесс осаждения фосфоросиликатного стекла без использования высокотоксичного фосфина. Дополнительным преимуществом является некоторое сокращение площади, занимаемой...

Номер патента: 2502

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Захарик Сергей Владимирович, Аношин Валерий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, стекла, пленки, борофосфоросиликатного, способ

Текст:

...содержанием фосфора и бора в пленке предельно упрощается. Подача ДМФ и ТСМБ по дополнительной паре инжекторов с газом-носителем - азотом непосредственно в зону реакции позволяет подавить возможные реакции с образованием побочных продуктов, что подтвер 2 2502 1 ждается результатами эксперимента и, следовательно, повысить качество осаждаемых пленок БФСС за счет снижения уровня привносимой дефектности. При подаче ТМФ и ТСМБ по той же паре...

Номер патента: 1612

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Буляк Борис Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Сасновский Владимир Арестархович, Наливайко Олег Юрьевич, Тихонов Владимир Ильич, Кабаков Михаил Михайлович, Макаревич Игорь Иванович

МПК: H01L 21/316

Метки: получения, способ, стекла, фосфоросиликатного, пленок

Текст:

...легирования пленки фосфором по пластине и по загрузке и предотвращает образование в газовой фазе не только частиц 2, но и Н 2 О 4, Р 25, Р 23, что обеспечивает преимущественное образование Р 25 уже непосредственно на подложке без осаждения на нее частиц Р 25, Р 23 из газовой фазы, приводящего к локальным неоднородностям легирования пленки фосфором. Выбор отношения объемных потоков 3/4 и объемного потока аммиака сделан на основе...

Номер патента: 1613

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Макаревич Игорь Иванович, Корешков Геннадий Анатольевич, Наливайко Олег Юрьевич, Кабаков Михаил Михайлович

МПК: H01L 21/316

Метки: борофосфоросиликатного, пленки, стекла, способ, осаждения

Текст:

...издержки производства. 1613 1 При температуре испарителя с ТЭОС выше 75 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре реактора ниже 650 С снижается скорость осаждения и повышаются издержки производства, а также ухудшается конформность воспроизведения топологического рельефа. При температуре реактора выше 750 С ухудшается управляемость процесса по толщине и концентрациям фосфора и бора. При температуре испарителя с...