Муравьев Борис Дмитриевич

Номер патента: 8810

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Муравьев Борис Дмитриевич, Володкевич Александр Антонович, Дворников Олег Владимирович

МПК: G01R 19/03, H01L 21/82

Метки: интегральная, термочувствительная, схема

Текст:

...кристалла, например, при помощи металлизированных межсоединений. В каждом кристалле сформирован биполярный транзистор 4, нагревательный резистивный элемент 5. Транзистор имеет Центрально расположенный коллекторный контакт 6, эмиттерные 7 и базовые 8 области. Эмиттерные области расположены по периферии транзистора максимально близко к нагревательному элементу симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных осей УУ, 22. Эмиттерные,...