Марченко Игорь Георгиевич
Способ изготовления силовых быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии
Номер патента: 18059
Опубликовано: 30.04.2014
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/263
Метки: способ, полупроводниковых, быстродействующих, силовых, изготовления, ядерно-легированном, кремнии, приборов
Текст:
...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....
Способ радиационной отбраковки диодов Шоттки
Номер патента: 18058
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Коршунов Федор Петрович, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: способ, радиационной, отбраковки, диодов, шоттки
Текст:
...до 5,1610-2 Кд/кг, одновременно пропуская через диоды прямой ток, величина которого составляет от 1 до 5 максимального прямого тока диода, измеряют величину пробивного напряжения у облученных диодов и осуществляют их отбраковку по изменению этой величины. Сущность способа состоит в следующем. Диоды Шоттки облучают при комнатной температуре малыми (относительно уровня легирования исходного полупроводника) дозами гамма-облучения при...
Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния
Номер патента: 18057
Опубликовано: 30.04.2014
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: изготовления, способ, тиристоров, быстродействующих, основе, кремния
Текст:
...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...
Способ радиационной отбраковки биополярных транзисторов
Номер патента: 17795
Опубликовано: 30.12.2013
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: радиационной, биополярных, отбраковки, способ, транзисторов
Текст:
...обратного тока упомянутых транзисторов для обеспечения активации поверхностных дефектов в переходах транзисторных структур осуществляют термическое воздействие на транзисторы в течение 50,5 ч при температуре 125 С при подаче на транзисторы смещения, составляющего не более 70 от максимально установленного запирающего напряжения для данных транзисторов, после чего осуществляют низкоинтенсивное радиационное и термическое воздействие на...
Способ отбора МОП-транзисторов для космической аппаратуры
Номер патента: 17800
Опубликовано: 30.12.2013
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: отбора, аппаратуры, способ, моп-транзисторов, космической
Текст:
...отбор транзисторов. Отбраковываются изделия,изменения параметров которых выходят за пределы обычного статистического распределения. В основу предлагаемого метода положены следующие физические явления. При воздействии ионизирующих излучений в МОП-транзисторах происходят следующие процессы 6 генерация и накопление заряда в защитном диэлектрике изменение заряда поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик...
Способ обработки кремниевых лавинных диодов
Номер патента: 17799
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/263
Метки: способ, обработки, диодов, лавинных, кремниевых
Текст:
...(РД). Если создать условия, при которых ГУ, попадающие в ООЗ перехода,остаются заполненными носителями заряда, то при подаче отрицательного смещения величина напряжения на диоде в начальной стадии пробояможет быть выше стационарного (расчетного) напряжения пробояна величину перенапряжения-.-образность ВАХ исчезает только после опустошения ГУ. При достаточно высокой концентрации ГУ их перезарядка способна оказать существенное влияние на...
Способ изготовления кремниевых быстродействующих приборов
Номер патента: 15639
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/263
Метки: кремниевых, способ, приборов, быстродействующих, изготовления
Текст:
...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...
Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов
Номер патента: 15720
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/263
Метки: способ, приборов, полупроводниковых, быстродействующих, структур, радиационной, изготовлении, обработки, приборных
Текст:
...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...
Способ изготовления быстродействующих тиристоров
Номер патента: 15719
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/263
Метки: быстродействующих, изготовления, способ, тиристоров
Текст:
...Сущность изобретения заключается в том, что перед локальным облучением тиристорной структуры, в котором электронному облучению подвергают участок структуры под управляющим электродом, вводят операцию предварительного электронного облучения всего объема структуры. Введение операции предварительного облучения при изготовлении быстродействующих тиристоров позволяет с большей точностью регулировать быстродействие тиристоров, используя для этих...
Способ радиационной отбраковки МОП-транзисторов
Номер патента: 15627
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: отбраковки, способ, моп-транзисторов, радиационной
Текст:
...а у приборов с небольшим количеством дефектов или бездефектных таких изменений значительно меньше. Так, количество накопленного при облучении в диэлектрике объемного заряда определяется дефектами роста пленки и количеством примесей в диэлектрике. Наличие указанных дефектов в МОП-транзисторах при одной и той же дозе излучения приводит к значительному сдвигу порогового напряжения по сравнению с транзисторами, не имеющими таких дефектов. 15627...
Способ изготовления силовых кремниевых диодов
Номер патента: 15626
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/263
Метки: способ, диодов, силовых, кремниевых, изготовления
Текст:
...(ЗПР) неравновесных носителей заряда (ННЗ) в приборной структуре, обеспечивая тем самым низкое значение прямого падения напряжения на диодепри необходимом быстродействии, нуждаются в доводке параметров на заключительном этапе их производства. Дело в том, что введение ЗПР в диодные структуры до посадки их в корпуса бесспорно технологично, но посаженные в корпуса диодные структуры имеют больше допустимого разброс по быстродействию времени...
Способ отбора силовых кремниевых диодов для космических аппаратов
Номер патента: 15625
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: отбора, силовых, аппаратов, диодов, способ, космических, кремниевых
Текст:
...к наличию любых структурных дефектов, в том числе и радиационных, является время жизни неравновесных носителей зарядаННЗ в базовой, наименее легированной области диодной структуры. Экспериментально установлено 6, что этот электрический параметр в диодах на кремнии в достаточно широком и важном для практики диапазоне доз облучения (Ф)(гамма-квантами, быстрыми электронами, нейтронами и протонами) сохраняет линейный характер зависимости...
Способ отбора силовых диодов с повышенной радиационной стойкостью
Номер патента: 14465
Опубликовано: 30.06.2011
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: силовых, радиационной, повышенной, отбора, диодов, стойкостью, способ
Текст:
...после воздействия и отбор диодов по изменению этих параметров. Новым, по мнению авторов, является то, что облучение электронами проводят при температуре от 130 до 150 С флюенсами, составляющими от 10 до 15 от численного значения концентрации основной легирующей примеси в исходном полупроводниковом материале диодов. Сущность способа заключается в реализации возможности проведения полного цикла отбраковочных испытаний силовых диодов на...
Способ изготовления запираемых тиристоров
Номер патента: 14249
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/263
Метки: способ, запираемых, изготовления, тиристоров
Текст:
...2 ч,то отжигается незначительная часть термостабильных дефектов с уровнем ЕС 0,36 эВ и приборы не переключаются в открытое состояние токами управления , оговоренными ТУ. Наряду с дефектом с уровнем ЕС 0,17 эВ в материал -базы при облучении вводится также дефект с акцепторным уровнем ЕС 0,34 эВ в верхней половине запрещенной зоны. Данный дефект не является эффективным центром рекомбинации и отжигается в интервале температур 550-560 С. На...
Способ изготовления быстродействующих транзисторов
Номер патента: 14223
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Кульгачев Владимир Ильич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/00
Метки: изготовления, способ, быстродействующих, транзисторов
Текст:
...их в корпуса, за счет электронного облучения и отжига бесспорно технологично, но транзисторные структуры, посаженные в корпуса требуют небольшой корректировки своих параметров по быстродействию (времени выключения). Выбор флюенса повторного облучения (в пределах до 81013 см-2) обусловлен необходимостью получения транзисторов с минимальным разбросом по времени выключения,допустимым изменением статических характеристик и максимальным...
Способ радиационно-термической обработки силовых диодов на основе кремния
Номер патента: 13932
Опубликовано: 30.12.2010
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/00
Метки: радиационно-термической, кремния, обработки, способ, основе, диодов, силовых
Текст:
...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...
Способ повышения радиационной стойкости биполярных кремниевых структур
Номер патента: 13703
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/00
Метки: способ, радиационной, структур, кремниевых, стойкости, повышения, биполярных
Текст:
...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии
Номер патента: 13719
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович
МПК: H01L 21/02
Метки: регулирования, жизни, неосновных, времени, способ, кремнии, заряда, полупроводниковых, эпитаксиальном, носителей, приборах
Текст:
...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...
Способ изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором
Номер патента: 13721
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/00, H01L 29/00
Метки: способ, изолированным, изготовления, затвором, биполярных, транзисторов
Текст:
...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...
Способ разбраковки полупроводниковых кремниевых диодных структур
Номер патента: 13236
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: способ, кремниевых, структур, полупроводниковых, разбраковки, диодных
Текст:
...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...
Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния
Номер патента: 12994
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: изготовления, основе, кремния, быстродействующих, тиристоров, способ
Текст:
...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...
Способ отбраковки потенциально ненадежных силовых кремниевых диодов
Номер патента: 13130
Опубликовано: 30.04.2010
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: силовых, потенциально, отбраковки, диодов, ненадежных, способ, кремниевых
Текст:
...после проведения при упомянутом радиационном воздействии термоциклирования в диапазоне температур от - 75 до 185 С в течение от 30 до 40 мин. Сущность способа. Диоды, полученные на основе высокоомных кремниевых структур с переходом, подвергают термоциклированию (воздействию тепловых ударов при многократном изменении температуры от отрицательных до положительных и наоборот) в диапазоне от -75 до 185 С в течение 30-40 мин в процессе низко...
Способ ускоренной отбраковки полупроводниковых приборов с повышенной чувствительностью параметров к дестабилизирующим воздействиям
Номер патента: 11849
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: способ, повышенной, отбраковки, дестабилизирующим, полупроводниковых, приборов, ускоренной, параметров, воздействиям, чувствительностью
Текст:
...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...
Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости
Номер патента: 11642
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: отбраковки, радиационной, приборов, способ, основе, кремния, стойкости, полупроводниковых
Текст:
...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...
Способ выявления глубоких уровней в p-n-переходе полупроводникового прибора
Номер патента: 11643
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/66
Метки: полупроводникового, глубоких, выявления, p-n-переходе, прибора, уровней, способ
Текст:
...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...
Способ изготовления мощных быстродействующих тиристоров
Номер патента: 11372
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/02
Метки: способ, изготовления, мощных, тиристоров, быстродействующих
Текст:
...части -базы. Наличие профиля радиационных дефектов в широкой базе с минимумом концентрации вблизи эмиттерного р-перехода и максимумом у коллекторного рперехода приводит к следующему 1. Область повышенной концентрации рекомбинационных центров оттесняется к коллекторному переходу, т.е. вблизи него создается область повышенной рекомбинации, что способствует увеличению быстродействия при меньшем росте остаточного напряжения. 2. Вблизи анодного...
Способ изготовления быстродействующих высоковольтных диодов
Номер патента: 11307
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Кульгачев Владимир Ильич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, диодов, высоковольтных, способ, быстродействующих
Текст:
...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...
Способ создания термочувствительного GaAs-элемента
Номер патента: 11192
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: C30B 33/00, C30B 29/10, H01L 21/02...
Метки: gaas-элемента, способ, создания, термочувствительного
Текст:
...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...
Способ отбраковки высоковольтных кремниевых полупроводниковых диодов по радиационной стойкости
Номер патента: 11098
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, радиационной, способ, кремниевых, стойкости, отбраковки, диодов, высоковольтных
Текст:
...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...
Способ термообработки кремниевых структур
Номер патента: 10862
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Гуринович Валентина Артемовна
МПК: H01L 21/02
Метки: термообработки, способ, кремниевых, структур
Текст:
...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния
Номер патента: 10595
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, носителей, регулирования, ядернолегированного, мощных, способ, изготавливаемых, приборах, жизни, времени, высоковольтных, быстродействующих, заряда, кремния, неосновных, базе
Текст:
...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...
Способ обработки низковольтных стабилитронов
Номер патента: 10225
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/00
Метки: стабилитронов, обработки, способ, низковольтных
Текст:
...появление в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней. В низковольтных стабилитронах они проявляют себя, главным образом, как компенсирующие центры, снижающие концентрацию основных носителей заряда в полупроводнике, и как дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне,способствующие более эффективному туннельному просачиванию носителей 5. Первый из этих эффектов (снижение проводимости) ведет к росту...
Способ изготовления термокомпенсированных стабилитронов
Номер патента: 10231
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/00
Метки: изготовления, стабилитронов, способ, термокомпенсированных
Текст:
...при 77-213 , используются пониженные температуры облучения. Сущность изобретения состоит в том, что готовые приборы подвергают электронному облучению определенными дозами, поддерживая в зоне облучения заданную температуру. Такая радиационная обработка приводит к введению в требуемой концентрации в активные физические области полупроводниковой структуры стабилитрона радиационных дефектов. Возникающие дефекты создают новые энергетические уровни...
Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости
Номер патента: 10133
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: приборов, отбраковки, кремния, основе, полупроводниковых, стойкости, радиационной, способ
Текст:
...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов
Номер патента: 9993
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, способ, жизни, приборов, заряда, регулирования, неосновных, изготовлении, носителей, быстродействующих, времени
Текст:
...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...
Способ радиационной обработки кремниевых полупроводниковых приборов
Номер патента: 8754
Опубликовано: 30.12.2006
Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/26, H01L 21/322, H01L 21/263...
Метки: радиационной, обработки, способ, кремниевых, полупроводниковых, приборов
Текст:
...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...