Латышев Сергей Викторович

Номер патента: 18317

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: термоэлектрический, холодильник, солнечный

Текст:

...поглощения фотонов от воздействия солнечного излучения структурой термоэлектрического солнечного холодильника на поверхность слоя 6 нанесен слой проводящего материала 7 из светопрозрачного материала, который выполняет функцию просветляющего слоя, снижающего поверхностную рекомбинацию носителей заряда на границе -слой 6 - проводящий слой 7. Толщина проводящего слоя 7 из светопрозрачного материала ( 0,0) составляет (0,52,0) мк. При...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, преобразователь, полупроводниковый, солнечной

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: способ, изготовления, энергии, солнечной, полупроводникового, преобразователя

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: способ, энергии, солнечной, изготовления, преобразователя, полупроводникового

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Номер патента: U 8627

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28

Метки: водоохлаждающее, устройство

Текст:

...мс помощью электропроводящего клея установлен на металлическом основании 12. Методом электронно-лучевого или магнетронного распылителя на торцевые стороны мструктуры с диэлектрическим слоем 11 по периметру через маску нанесен металлический слой 13, накоротко замыкающий мструктуру,то есть ее верхний и нижний омические контакты 10 и 4. Толщины слоев мструктуры определены экспериментально и равны электропроводящего светопрозрачного слоя 100,30,1...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Денисенко Михаил Фёдорович, Леонов Василий Севастьянович, Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, солнечной, изготовления, преобразователя, способ, энергии

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, солнечной, энергии, преобразователь

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Номер патента: 15154

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: термоэлектрического, изготовления, способ, солнечного, холодильника

Текст:

...процесса диффузии бора 10001100 С, а время процесса составляет 0,30,5 часа. Методом термической диффузии на поверхности кремниевой монокристаллической области (подложки) формируют сильнолегированный слой-типа толщиной 0,10,3 мкм введением акцепторной примеси - бора с концентрацией (10201021) см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 С, а время процесса составляет 0,20,5 часа. На сформированный-слой широкозонного полупроводника со...

Номер патента: 15174

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: изготовления, способ, холодильника, термоэлектрического, солнечного

Текст:

...арсенида галлия, легированный -акцепторной примесью с концентрацией 31020 см-3, толщиной 0,1 микрон, который является омическим контактом к решетчатому верхнему металлическому контакту солнечного термоэлектрического холодильника -, осуществляют при температуре основания 400450 С со средней скоростью 2030 /сек. На торцевую сторону солнечного термоэлектрического холодильника по периметру наносят защитный диэлектрический слой диоксида кремния (2)...

Номер патента: U 6569

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Китун Антон Владимирович, Передня Владимир Иванович, Мурин Андрей Павлович, Латышев Сергей Викторович

МПК: A01F 29/00

Метки: измельчитель-смеситель, кормов

Текст:

...Далее измельченная масса, под действием гравитационных сил, по винтовой линии поступает в рабочую зону ножей 3 нижнего яруса. При этом измельченная масса начинает перемещаться по основаниям 6 и 7 ножа. Верхний кормовой поток движется по фронтальной, наклонной грани ножа 3. Так как наклонная грань ножа 3 является местным сопротивлением, то при сходе с этой грани происходит отрыв кормового потока, в результате чего образуется вихревая...

Номер патента: 11352

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Гринчик Николай Николаевич, Бурьяк Виктор Николаевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: A01N 25/08, A01P 11/00

Метки: истребления, грызунов, состав

Текст:

...составе для истребления грызунов используют цемент, известь, гипс, алебастр или их смеси. Результаты исследований показали, что при содержании минерального вяжущего в предлагаемом составе более 50 мас.большинство грызунов отказываются его поедать и через 3-5 дней наблюдаются лишь единичные случаи гибели. При содержании минерального вяжущего в предлагаемом составе менее 15 мас. , также наблюдалось снижение эффективности действия предлагаемого...

Номер патента: U 1456

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Борботько Тимофей Валентинович, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01Q 17/00

Метки: электромагнитного, чехол, мобильных, защиты, объектов, приёмопередающих, устройств, воздействия, биологических, малогабаритных

Текст:

...слой которой выполнен из поглощающего материала с симметрично расположенными отверстиями по всей площади поверхности, второй слой представляет собой многослойный отражающий материал 3. Недостатком данной конструкции является узкий диапазон рабочих частот и сложность технологического процесса изготовления. Задачей данной полезной модели является защита биологических объектов от электромагнитного воздействия мобильных малогабаритных...