Кульгачев Владимир Ильич
Способ изготовления быстродействующих транзисторов
Номер патента: 14223
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Кульгачев Владимир Ильич
МПК: H01L 21/00
Метки: способ, транзисторов, изготовления, быстродействующих
Текст:
...их в корпуса, за счет электронного облучения и отжига бесспорно технологично, но транзисторные структуры, посаженные в корпуса требуют небольшой корректировки своих параметров по быстродействию (времени выключения). Выбор флюенса повторного облучения (в пределах до 81013 см-2) обусловлен необходимостью получения транзисторов с минимальным разбросом по времени выключения,допустимым изменением статических характеристик и максимальным...
Способ изготовления быстродействующих высоковольтных диодов
Номер патента: 11307
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Кульгачев Владимир Ильич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/02
Метки: быстродействующих, диодов, высоковольтных, способ, изготовления
Текст:
...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...