Кулешов Николай Васильевич

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Мащенко Александр Георгиевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Лугинец Александр Михайлович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кулешов Николай Васильевич, Колесова Ирина Михайловна

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: монокристаллических, y3al5o12:yb3+, выращивания, пленок, способ

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Номер патента: U 7230

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Батюшков Валентин Вениаминович, Кисель Виктор Эдвардович, Кулешов Николай Васильевич, Немененок Александр Иванович, Васильева Ирина Владимировна, Курильчик Сергей Владимирович, Векшин Сергей Константинович, Тареев Анатолий Михайлович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазер, накачкой, диодной, миниатюрный, твердотельный

Текст:

...генерации. Лазер отличается от прототипа тем, что объектив выполнен в виде одиночной короткофокусной линзы. Активный элемент установлен с поперечным смещением относительно оптической оси объектива и возможностью вращения вокруг собственной оси. 72302011.04.30 На плоских торцах активного элемента расположены кольцеобразные прокладки из теплопроводящего эластичного материала. Активный элемент выполнен из кристалла алюмо-иттриевого граната,...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Кисель Виктор Эдвардович, Сорокина Ирина Тиграновна, Щербицкий Виктор Георгиевич, Постнова Лариса Ивановна, Кулешов Николай Васильевич

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, C30B 31/00...

Метки: селенида, цинка, легирования, хромом, кристаллов, способ

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...

Номер патента: 8401

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Юмашев Константин Владимирович, Рачковская Галина Евтихиевна, Захаревич Галина Борисовна, Гапоненко Максим Сергеевич, Маляревич Александр Михайлович, Кулешов Николай Васильевич

МПК: C03C 14/00

Метки: просветляющихся, фильтров, сульфида, нанокристаллами, свинца, области, стекло, спектра, ближней

Текст:

...спектра и, таким образом, создать новый материал для просветляющихся фильтров-твердотельных пассивных затворов, с помощью которых представляется возможным осуществить генерацию наносекундных и сверхкоротких световых импульсов на длинах волн 0,8-1,6 мкм в лазерах,используемых для медицины, волоконно-оптических линий связи, дистанционного зондирования атмосферы. 2 8401 1 2006.08.30 Из источников литературы стекло, содержащее нанокристаллы ,...

Номер патента: 7665

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Рачковская Галина Евтихиевна, Маляревич Александр Михайлович, Захаревич Галина Борисовна, Юмашев Константин Владимирович, Кулешов Николай Васильевич, Золотовская Светлана Анатольевна

МПК: C03C 4/08

Метки: стекло, светофильтров

Текст:

...длин волн до 400 нм, повышение светопропускания в диапазоне длин волн 450-500 нм и снижение температуры синтеза стекла. Для решения поставленной задачи предлагается стекло для светофильтра, включающее , 2, 2, 23, 23, которое содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.63,5-78,39 2 5,0-27,4 2 3,0-13,0 23 6,0-9,05 23 0,01-0,1. Количественное соотношение указанных компонентов в предлагаемом составе стекла обеспечивает...