Красницкий Василий Яковлевич

Номер патента: 6271

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00

Метки: лавинный, фотоприемник

Текст:

...проводимости 2 с участками буферного слоя 4 соединены параллельно. На обратной стороне подложки 1 сформирован второй металлический электрод 7, образующий омический контакт к подложке 1. Устройство работает следующим образом. К металлическим электродам 5 и 7 прикладывается постоянное напряжение таким образом, чтобы - переход находился под обратным смещением. При этом все приложенное напряжение в основном падает на буферном слое 4 и области...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Довнар Николай Александрович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/308

Метки: поликристаллического, конденсатора, кремния, обкладки, изготовления, способ

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...

Номер патента: 2923

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Захарик Сергей Владимирович, Аношин Валерий Михайлович, Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: кремниевых, способ, планаризации, структур

Текст:

...в чистом реакторе, а срок службы реактора и оснастки повышается, что снижает издержки производствам и уровень привносимой дефектности. Издержки производства снижаются также и за счет совмещения двух операций в реакционной камере. При оплавлении БФСС при давлении ниже 20 Па увеличивается испарение из приповерхностного слоя стекла, что может способствовать ухудшению текучести стекла при оплавлении контактов (так называемое второе оплавление)....

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Довнар Николай Александрович, Смаль Игорь Вацлавович, Красницкий Василий Яковлевич, Цыбулько Игорь Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 27/10, H01L 29/92

Метки: памяти, конденсатор, схем, интегральных, накопительный, элемента

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...

Номер патента: 2531

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Тихонов Владимир Ильич, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, способ, фосфоросиликатного, осаждения, пленок

Текст:

...определяется именно этим соотношением. Поэтому контроль за содержанием фосфора в пленке предельно облегчается. Кроме того, так как не используется фосфин, то и уровень привносимой дефектности снижается и повышается однородность осаждаемых пленок по толщине, а также реализуется процесс осаждения фосфоросиликатного стекла без использования высокотоксичного фосфина. Дополнительным преимуществом является некоторое сокращение площади, занимаемой...

Номер патента: 2502

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Захарик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Аношин Валерий Михайлович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: борофосфоросиликатного, осаждения, способ, пленки, стекла

Текст:

...содержанием фосфора и бора в пленке предельно упрощается. Подача ДМФ и ТСМБ по дополнительной паре инжекторов с газом-носителем - азотом непосредственно в зону реакции позволяет подавить возможные реакции с образованием побочных продуктов, что подтвер 2 2502 1 ждается результатами эксперимента и, следовательно, повысить качество осаждаемых пленок БФСС за счет снижения уровня привносимой дефектности. При подаче ТМФ и ТСМБ по той же паре...

Номер патента: 973

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Довнар Николай Александрович, Смаль Игорь Вацлавович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 21/335

Метки: изготовления, мдп-транзистора, способ

Текст:

...примеси второго типа проводимости,создание сильнолегированньтх исток-стоковых областей отлил-ом внедрештой примеси, после внедрения в пластину по обе стороны от приставочных областей медленнодиффут-тдирующей примеси второго ттша проводимости, в пластину,в те же области внедряют быстродиффундирующую примесь того же тшта проводимости, и одновременно с созданием сильнолегированньпс исток-стоковых областей диффузией быстродиффундирующей...