Колос Светлана Валентиновна
Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию
Номер патента: 13808
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Колос Светлана Валентиновна, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович
МПК: C22C 19/05, H01L 23/48
Метки: материал, кремнию, контакта, омического, тонкопленочного
Текст:
...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...