Колесников Вячеслав Михайлович

Номер патента: 10017

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Буйкевич Александр Георгиевич, Колесников Вячеслав Михайлович, Манак Иван Степанович

МПК: G01J 4/00

Метки: поляризационных, параметров, определения, устройство, излучения, лазера, полупроводникового

Текст:

...1 показана общая схема устройства измерения поляризационных характеристик излучения полупроводникового лазера. Излучение полупроводникового лазера 1 передается объективом-анаморфотом 2, исправляющим астигматизм в структуре исходного пучка излучения, в коллиматорный объектив 3,расширяющий и коллимирующий излучение до размеров, позволяющих обеспечить устойчивую работу поляризационного блока 4, особенностью которого является то, что в...

Номер патента: 5616

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Колесников Вячеслав Михайлович, Чухлиб Владимир Иванович, Стецик Виктор Михайлович, Самохвалов Валерий Константинович, Матюшков Владимир Егорович

МПК: G01B 11/24, G01B 11/30

Метки: интерференционного, параметров, геометрических, контроля, полупроводниковых, устройство, пластин

Текст:

...- упрощение конструкции устройства Суть изобретения поясняется чертежом, где изображена оптическая схема предложенного устройства. Устройство содержит инжекционный полупроводниковый лазер 1 с широкой диаграммой направленности излучения, подключенный к источнику тока накачки 2, четвертьволновую пластину 3, первый объектив 4 для освещения в параллельном ходе лучей контролируемого объекта 11, расположенного перпендикулярно оптической оси...