Кисель Виктор Эдвардович

Номер патента: U 9813

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Шашков Андрей Михайлович, Топленикова Татьяна Васильевна, Тареев Анатолий Михайлович, Ивашко Алексей Михайлович, Васильева Ирина Владимировна, Немененок Александр Иванович, Кисель Виктор Эдвардович

МПК: H01S 3/16

Метки: непрерывный, излучатель, лазерный

Текст:

...взаимного нагрева благодаря наличию волоконных световодов во-вторых, благодаря применению лазерных диодов накачки, длины волн излучения которых могут отличаться друг от друга на величину 1. Известно, что длина волны излучения лазерного диода увеличивается при нагреве и уменьшается при охлаждении в среднем на 0,3 нм/град, а так как большинство активных сред имеют ограниченную спектральную полосу эффективного поглощения, то в широком диапазоне...

Номер патента: U 7357

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Векшин Сергей Константинович, Васильева Ирина Владимировна, Немененок Александр Иванович, Тареев Анатолий Михайлович, Кисель Виктор Эдвардович

МПК: H01S 3/16

Метки: миниатюрный, излучатель, лазерный

Текст:

...торцом активного элемента,при этом вторая по ходу лучей линза второго объектива установлена с возможностью смещения вдоль оптической оси, а третья по ходу лучей линза установлена с возможностью смещения в плоскости, перпендикулярной оптической оси. Активный элемент излучателя выполнен из кристалла алюмоиттриевого граната, активированного ионами иттербия. Установка активного элемента с возможностью поперечного смещения относительно...

Номер патента: U 7230

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Кулешов Николай Васильевич, Немененок Александр Иванович, Кисель Виктор Эдвардович, Векшин Сергей Константинович, Васильева Ирина Владимировна, Батюшков Валентин Вениаминович, Тареев Анатолий Михайлович, Курильчик Сергей Владимирович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазер, миниатюрный, диодной, накачкой, твердотельный

Текст:

...генерации. Лазер отличается от прототипа тем, что объектив выполнен в виде одиночной короткофокусной линзы. Активный элемент установлен с поперечным смещением относительно оптической оси объектива и возможностью вращения вокруг собственной оси. 72302011.04.30 На плоских торцах активного элемента расположены кольцеобразные прокладки из теплопроводящего эластичного материала. Активный элемент выполнен из кристалла алюмо-иттриевого граната,...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Кулешов Николай Васильевич, Щербицкий Виктор Георгиевич, Сорокина Ирина Тиграновна, Постнова Лариса Ивановна, Кисель Виктор Эдвардович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/10, C30B 31/00...

Метки: хромом, цинка, кристаллов, способ, селенида, легирования

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...