Иванов Василий Алексеевич
Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS
Номер патента: 15451
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Унучек Денис Николаевич, Иванов Василий Алексеевич, Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович
МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 28/00...
Метки: структуры, получения, способ, основе, тонкопленочной, элементов, солнечных
Текст:
...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...
Способ получения тонкой пленки соединения Cu(InxZn1-x)(SeyS1-у)2
Номер патента: 11399
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Иванов Василий Алексеевич, Залесский Валерий Борисович
МПК: H01L 31/18
Метки: получения, способ, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2, тонкой, соединения, пленки
Текст:
...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...