Иванчиков Александр Эдуардович

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Трусов Виктор Леонидович, Иванчиков Александр Эдуардович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/30

Метки: плазмохимического, удаления, пластин, травления, полимерных, способ, загрязнений, после, аэрозольного, поверхности, кремниевых, фоторезиста, полупроводниковых

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/08, H01L 21/44

Метки: металлизированной, пластин, кремниевых, струйной, очистки, полупроводниковых, поверхности, разводкой, алюминия, основе, способ

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Способ регенерации раствора ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 14499

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Карпович Дмитрий Викторович, Плебанович Владимир Иванович, Вечер Дмитрий Вячеславович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C23F 1/46

Метки: ортофосфорной, раствора, регенерации, способ, кислоты

Текст:

...Регенерация раствора ортофосфорной кислоты выполнялась путем периодической подачи воды в отработанный раствор, охлажденный до температуры (905) С и непрерывно циркулирующий в течение 2-2,5 ч. Затем производился нагрев восстановленного раствора 34 до температуры (1605) С и выполнялся процесс травления пленки нитрида кремния. Результаты представлены в табл. 3. Пример 4. Для проведения регенерации по заявляемому способу был выбран...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02

Метки: пленок, травления, состав, поликристаллического, кремния

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки

Загрузка...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 11/00

Метки: виде, поливинилхлоридной, гибкой, выполненного, воды, проб, трубки, очистки, способ, отборника, деионизованной

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: кремниевой, качества, растворе, поверхности, пластины, способ, ph больше 7, полупроводниковой, химической, контроля, очистки

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: удаления, остатков, микросхем, полимерных, изготовлении, интегральных, состав, металло-кремнийорганических, кремниевых

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Турыгин Анатолий Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: основе, поверхности, алюминия, состав, химической, очистки, пленок

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Состав для регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 8579

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Турыгин Анатолий Викторович, Кисель Анатолий Михайлович, Гладкова Людмила Владимировна, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/306

Метки: кислоты, травителя, состав, регенерации, основе, ортофосфорной

Текст:

...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...

Состав для очистки поверхности полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Гранько Владимир Ильич, Сугакова Татьяна Евгеньевна

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, состав, поверхности, очистки, полупроводниковых

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...

Способ регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 3417

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Довнар Николай Александрович, Курганович Александр Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/306, C23F 1/46

Метки: основе, способ, ортофосфорной, регенерации, травителя, кислоты

Текст:

...осуществляют путем добавления в отработанный травитель 0,1-0,2 об. ч. воды, нагревания до температуры 90-100 С и выдержки при этой температуре не менее 1 ч. Как показали эксперименты, 0,1-0,2 об. ч. воды достаточно для обратного превращения пирофосфорной кислоты в ортофосфорную. Уменьшение количества воды, добавляемой в травитель, менее 0,1 об. ч. не позволяет всю пирофосфорную кислоту перевести в ортофосфорную, а увеличение количества воды,...