H01L 33/00 — Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

Номер патента: 18119

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Трусова Екатерина Евгеньевна, Бобкова Нинель Мироновна, Урецкая Ольга Владиславовна, Бойко Андрей Андреевич, Дробышевская Наталья Евгеньевна

МПК: C09K 11/80, H01L 33/00, H05B 33/14...

Метки: люминофорная, композиция

Текст:

...наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием, прокаленный в атмосфере аргона, в качестве оксидного стекла легкоплавкое стекло состава 23-232-2 при следующем соотношении компонентов, мас.наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием - 11,0 легкоплавкое стекло состава 2 з-23-2-2 - 44,5 порошок кварцевого стекла - 44,5. В состав композиции люминофор вводится в виде...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01L 21/02, B82B 3/00, H01L 33/00...

Метки: галлия, нитрида, p-gan, омического, эпитаксиальному, слою, изготовления, контакта, прозрачного, способ

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Беляева Ада Казимировна, Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01S 3/04, H01L 33/00...

Метки: алмазного, изготовления, способ, диодных, лазерных, основания, структур, теплоотводящего

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, полупроводниковый

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: омического, контакта, способ, изготовления, p-gan, эпитаксиальному, слою, прозрачного

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Номер патента: 13634

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Леончик Сергей Викентьевич, Шишонок Елена Михайловна, Якунин Александр Сергеевич, Абдуллаев Олег Рауфович

МПК: H01L 33/00, H01L 27/15

Метки: элемент, светоизлучающий

Текст:

...шире спектральный диапазон световой эмиссии, тем меньше ее температурное тушение. Излучательные электронные переходы (типа 4-4, 45) на трехвалентных ионах различных редкоземельных элементов, инкорпорированных в различные кристаллические матрицы, являются источниками световой эмиссии в виде линейчатых спектров или широких полос в УФ, видимом или ИК - диапазонах. Указанные электронные переходы запрещены для свободных ионов, но оказываются...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Шуленков Алексей Серафимович, Новицкий Николай Николаевич, Данильчик Александр Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: контакта, p-gan, способ, слою, прозрачного, эпитаксиальному, омического, изготовления

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Номер патента: 13388

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Микаелян Геворк Татевосович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Рябцев Геннадий Иванович, Кабанов Владимир Викторович, Тепляшин Леонид Леонидович, Пожидаев Александр Викторович, Щемелев Максим Анатольевич, Жиздюк Татьяна Борисовна, Безъязычная Татьяна Владимировна, Соколов Сергей Николаевич, Титовец Сергей Николаевич, Леончик Сергей Викентьевич, Шишенок Николай Александрович, Беляева Ада Каземировна, Красковский Андрей Сергеевич, Паращук Валентин Владимирович, Богданович Максим Владимирович, Шишенок Елена Михайловна

МПК: H01L 33/00, H01S 5/00

Метки: керамики, сборки, бора, структур, лазерных, теплоотводящем, способ, нитрида, основании

Текст:

...распределение припоя по поверхности монтажной пластины можно получить нанесением последовательно в едином технологическом цикле четырех металлов хромникель-олово-серебро (патент 2173913, МПК 601 21/58, опубл. 15.07.1999). Каждый из вышеперечисленных способов имеет свой недостаток. Так, в техническом решении по патенту 2075140 на монтажную поверхность наносится слой золота,геометрические параметры которого необходимо выдерживать в жестких...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Хойкен Михаель, Осипов Константин Александрович, Павловский Вячеслав Николаевич, Гурский Александр Леонидович, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: эффективности, пленки, повышения, способ, полупроводника, органического, излучения

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Хойкен Михаель, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Шинеллер Бернд, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 21/283, H01L 33/00, H01L 21/28...

Метки: слою, омического, прозрачного, p-gan, способ, контакта, изготовления, эпитаксиальному

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Савостьянова Наталья Александровна, Лойко Галина Ивановна, Корытько Дмитрий Константинович, Закроева Нина Михайловна

МПК: H01L 33/00

Метки: диода, способ, изготовления, светоизлучающего

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...

Номер патента: 3790

Опубликовано: 30.03.2001

Автор: Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 33/00

Метки: светоизлучающий, прибор

Текст:

...направленности. Эта задача достигается тем, что СП содержит концентратор из полупроводникового материала, выполненный в виде усеченного конуса с металлизированными стенками, в меньшем основании которого расположен светоизлучающий слой, а в большом - линза, что позволяет сузить диаграмму направленности и увеличить внешнюю квантовую эффективность. По сравнению с прототипом 3 предлагаемый СП имеет существенные отличия за счет того, что...