H01L 31/00 — Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

Номер патента: 16817

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 31/00, H02N 6/00

Метки: преобразователь, термофотоэлектрический

Текст:

...преобразователе цилиндрическая линза Френеля 1 оптически связана через первый спектроделитель 3 и протяженный цилиндрический эмиттер 2 со вторым спектроделителем 4, который оптически соединен с глухими зеркалами 5, отражательными элементами 6, фотоэлементами 7, при этом ось симметрии протяженного цилиндрического эмиттера 2 расположена параллельно большим сторонам цилиндрической линзы Френеля 1 и проходит через ее фокус. Отражательные...

Номер патента: 16070

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич, Емельяненко Юрий Савельевич, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

Текст:

...С 49. Из фигуры видно, что слой полупроводника 1 расположен на кремниевой подложке 2. На внешней стороне слоя полупроводника 1 расположен прозрачный металлический электрод 3, например, на основе тонкой (10 нм) пленки золота, образующей с ней выпрямляющий переход, а между второй стороной слоя полупро 2 16070 1 2012.06.30 водника 1 и кремниевой подложкой 2 расположен второй электрод 4, например, на основе приповерхностного слоя кремниевой...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 29/10, C01G 28/00, C30B 23/06...

Метки: получения, основе, гетероструктуры, способ, полупроводниковых, материалов

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Сивец Василий Иосифович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: изготовления, фотодиода, способ

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Номер патента: 13915

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович, Залесский Валерий Борисович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H02N 6/00, H01L 31/00

Метки: преобразователь, энергии, солнечной, электрическую

Текст:

...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...

Номер патента: 13885

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: G03F 7/00, H01L 31/00

Метки: тонкопленочный, электронный, элемент

Текст:

...активного слоя 2 прозрачной диэлектрической подложки 1 через нее и внутренний активный слой 3. Проводящие области выходные 4 электрически связаны как непосредственно, так и туннельно через наноразмерные зазоры 5 с проводящими приемными областями 6, фиг. 2. В конкретном исполнении прозрачная диэлектрическая подложка 1 - это тонкопленочный прозрачный материал, который выполнен, например, из полиэтилентерефталата (диэлектрического прозрачного...

Номер патента: 9651

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: p-i-n-фотодиод, излучением, оптическим, ёмкостью, управляемой

Текст:

...проводимостью. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить сопротивление - перехода и создать условие накопления фотоносителями избыточного электрического заряда в поглощающем полупроводнике с собственной проводимостью, что приводит к увеличению добротности фотодиода и уменьшению необходимой для управления оптической мощности. Данный фотодиод может также использоваться при оптическом управлении СВЧ цепями в качестве...

Номер патента: 6271

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00

Метки: лавинный, фотоприемник

Текст:

...проводимости 2 с участками буферного слоя 4 соединены параллельно. На обратной стороне подложки 1 сформирован второй металлический электрод 7, образующий омический контакт к подложке 1. Устройство работает следующим образом. К металлическим электродам 5 и 7 прикладывается постоянное напряжение таким образом, чтобы - переход находился под обратным смещением. При этом все приложенное напряжение в основном падает на буферном слое 4 и области...

Номер патента: 2929

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Залесский Валерий Борисович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 31/00

Метки: лавинный, фотоприемник

Текст:

...следующим образом. В кремниевой пластине -типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Омсм формировался защитный слой 0,3 мкм и методами оптической литографии- топологический рисунок слоев 2 и 3, обеспечивающий равноудаленность границ слоев 2 и 3. Затем проводилось локальное травление окисного слоя, снятие фоторезиста, повторная фотолитография со вскрытием окон только под слой 2 и ионная имплантация бора во вскрытые окна. При...