H01L 29/06 — отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона
Номер патента: U 10687
Опубликовано: 30.06.2015
Авторы: Хани Абдулкарим Аларифи, Белый Владимир Николаевич, Мохаммед А. Бинхуссаин, Марзук Салех Алшамари, Гасенкова Ирина Владимировна, Мухуров Николай Иванович, Казак Николай Станиславович
МПК: H01L 29/06
Метки: конструкция, спектрального, диапазона, метаматериала, оптического, гиперболического
Формула / Реферат:
Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности, заполненных благородными металлами, отличающаяся тем, что наноотвеКонструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности,...
Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком
Номер патента: U 8247
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Гетьман Сергей Николаевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович
МПК: H01L 29/06
Метки: транзистор, изолированным, моп, высоковольтный, истоком
Текст:
...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...
Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества
Номер патента: 4988
Опубликовано: 30.03.2003
Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Силин Анатолий Васильевич, Пономарь Владимир Николаевич, Усов Геннадий Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 29/06
Метки: схемы, интегральной, защиты, транзистора, статического, элемент, моп, электричества, выходного
Текст:
...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...