H01L 29/06 — отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона
Номер патента: U 10687
Опубликовано: 30.06.2015
Авторы: Марзук Салех Алшамари, Мухуров Николай Иванович, Казак Николай Станиславович, Белый Владимир Николаевич, Гасенкова Ирина Владимировна, Мохаммед А. Бинхуссаин, Хани Абдулкарим Аларифи
МПК: H01L 29/06
Метки: гиперболического, диапазона, оптического, конструкция, спектрального, метаматериала
Формула / Реферат:
Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности, заполненных благородными металлами, отличающаяся тем, что наноотвеКонструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности,...
Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком
Номер патента: U 8247
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Дудар Наталия Леонидовна, Гетьман Сергей Николаевич
МПК: H01L 29/06
Метки: изолированным, высоковольтный, истоком, моп, транзистор
Текст:
...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...
Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества
Номер патента: 4988
Опубликовано: 30.03.2003
Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Силин Анатолий Васильевич, Усов Геннадий Иванович
МПК: H01L 29/06
Метки: статического, электричества, транзистора, схемы, защиты, элемент, интегральной, выходного, моп
Текст:
...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...