H01L 27/14 — содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений

Номер патента: U 10183

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Муха Евгений Владимирович, Смирнов Александр Георгиевич, Сацкевич Янина Владимировна, Соловьев Ярослав Александрович, Степанов Андрей Анатольевич

МПК: H01L 31/06, H01L 27/14, H01L 31/108...

Метки: основе, наноячеистым, металлическим, полупрозрачным, электродом, шоттки, диода, солнечный, элемент

Текст:

...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...

Номер патента: U 9799

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 27/14

Метки: чувствительный, элемент

Текст:

...эффективности преобразования электромагнитного излучения при одновременном увеличении помехоустойчивости. Поставленная техническая задача решается тем, что чувствительный элемент, представляющий собой четырехполюсник, содержащий две пары последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с общим для них полупровод 2 97992013.12.30 никовым каналом, причем первая пара переходов, являющихся переходами Шоттки, имеет...

Номер патента: 16608

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 27/14, G01J 1/02

Метки: фотодетектор

Текст:

...пленок. Сущность изобретения поясняется фиг. 1, где представлен вертикальный разрез устройства, и фиг. 2, на которой приведен вид устройства сверху. 2 16608 1 2012.12.30 В фотодетекторе первая болометрическая пленка 1 термически связана с подложкой 3 и расположена на ней. Вторая болометрическая пленка 2 расположена на внутренней стороне диэлектрической пленки 5, размещенной от подложки 3 на расстоянии, исключающем с ней тепловой...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Становский Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Сивец Василий Иосифович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: способ, изготовления, фотодиода

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Номер патента: 9651

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: ёмкостью, p-i-n-фотодиод, излучением, управляемой, оптическим

Текст:

...проводимостью. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить сопротивление - перехода и создать условие накопления фотоносителями избыточного электрического заряда в поглощающем полупроводнике с собственной проводимостью, что приводит к увеличению добротности фотодиода и уменьшению необходимой для управления оптической мощности. Данный фотодиод может также использоваться при оптическом управлении СВЧ цепями в качестве...