H01L 27/10 — содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией

Номер патента: 3908

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Вольфганг ХЕНЛЯЙН, Фолькер ЛЕМАНН, Михаэль БОЙ

МПК: H01L 27/10, H01G 4/008

Метки: мере, способ, меньшей, одним, схемная, изготовления, структура, конденсатором

Текст:

...является идеально применимым для - - элементов, т.е. элементов с поверхностным монтажом. Для оптимизации способа изготовления используют все секреты производства кремниевой микроэлектроники. После изготовления дырочных отверстий на поверхности подложки создают диэлектрический слой. Так как диэлектрический слой должен конформно покрывать всю поверхность, также и в области дырочных отверстий, в качестве диэлектрических слоев пригодны...

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Довнар Николай Александрович, Цыбулько Игорь Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Смаль Игорь Вацлавович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 27/10, H01L 29/92

Метки: схем, памяти, конденсатор, накопительный, элемента, интегральных

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...