H01L 21/44 — изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: титана, интегральных, производства, силицида, формирования, способ, пленки, микросхем

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти

Загрузка...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Новиков Андрей Геннадьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Гайдук Петр Иванович

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: нанокристаллов, способ, германия, памяти, формирования, энергонезависимой

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/08, H01L 21/44

Метки: основе, поверхности, полупроводниковых, пластин, очистки, струйной, металлизированной, кремниевых, алюминия, разводкой, способ

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Устройство для формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Чапланов Аркадий Михайлович, Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 21/44

Метки: пленки, кремниевой, формирования, титана, подложке, устройство, дисилицида

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...