H01L 21/331 — транзисторов

Номер патента: 15265

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Нелаев Владислав Викторович, Снитовский Юрий Павлович, Ефремов Василий Андреевич

МПК: H01L 21/331

Метки: способ, транзистора, изготовления

Текст:

...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/331, H01L 29/78

Метки: высоковольтного, мощного, способ, изготовления, дмоп-транзистора

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...