H01L 21/331 — транзисторов
Способ изготовления транзистора
Номер патента: 15265
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Нелаев Владислав Викторович, Ефремов Василий Андреевич, Снитовский Юрий Павлович
МПК: H01L 21/331
Метки: транзистора, изготовления, способ
Текст:
...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...
Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора
Номер патента: 4025
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 21/331, H01L 29/78
Метки: мощного, изготовления, высоковольтного, способ, дмоп-транзистора
Текст:
...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...