H01L 21/316 — из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Номер патента: 8992

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Шкуратов Александр Георгиевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316, C23C 16/40, C23C 16/455...

Метки: пленки, стекла, способ, получения, борофосфоросиликатного

Текст:

...откачке.Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено.Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Подача в реактор паров ТЭОС, ФСС и БСС после стабилизации их потоков продувкой паров, минуя реактор(сначала по сбросовь 1 м магистралям пары реагентов подаются на скруббер, производится стабилизация их потоков, а затем переключением соответствующих клапанов производится...

Номер патента: 8991

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Шкуратов Александр Георгиевич, Становский Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 16/455, H01L 21/316, C23C 16/40...

Метки: фосфоросиликатного, осаждения, способ, пленки, стекла

Текст:

...реактор, после осаждения пленки фосфоросиликатного стекла требуемой толщины прекращают подачу в реактор паров фосфоросодержащего соединения,осаждают адгезионный слой двуокиси кремния толщиной 10-25 нм без изменения температуры реактора и давления и прекращают подачу паров тетраэтоксисилана, при этом в качестве фосфоросодержащего соединения используют диметилфосфит, триэтилфосфит,триметилфосфит или триметилфосфат, дополнительно...

Номер патента: 6429

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/76, H01L 21/316

Метки: изготовления, изоляции, кмдп, интегральных, схем, межкомпонентной, способ

Текст:

...счет снижения дефектности подложки в области изолирующего перехода и уровней механических напряжений в ней. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающем формирование областей карманов в кремниевой подложке, нанесение нитридной маски, подлегирование подложки с активизацией примеси путем термообработки в атмосфере инертного газа для получения - охранных областей,...

Номер патента: 6426

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Пинаева Маргарита Михайловна, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, пленок, диэлектрических, формирования

Текст:

...или соли РЗМ и кислота (органическая или неорганическая), при взаимодействии которых образуется комплексонат РЗМ, диссоциирующий в растворе с образованием комплексного аниона, содержащего РЗМ. В зависимости от анодируемого материала и требований, предъявляемых к АОП, связанных с областью их применения, электролит содержит различные РЗМ при различных концентрациях, азотосодержащее соединение основного характера, выбранное из ряда аммиак,ГМТА,...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович, Юрченок Лариса Григорьевна, Малькевич Владимир Эдуардович

МПК: H01L 21/316

Метки: подложек, арсенида, пассивирующее, покрытие, галлия

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Номер патента: 4154

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Сидерко Александр Александрович, Смагин Дмитрий Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/316

Метки: получения, борофосфоросиликатного, способ, стекла, пленки

Текст:

...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Буслов Игорь Иванович, Наливайко Олег Юрьевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/316

Метки: фосфоросиликатного, стекла, пленок, способ, осаждения

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Номер патента: 2923

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Захарик Сергей Владимирович, Аношин Валерий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: планаризации, кремниевых, структур, способ

Текст:

...в чистом реакторе, а срок службы реактора и оснастки повышается, что снижает издержки производствам и уровень привносимой дефектности. Издержки производства снижаются также и за счет совмещения двух операций в реакционной камере. При оплавлении БФСС при давлении ниже 20 Па увеличивается испарение из приповерхностного слоя стекла, что может способствовать ухудшению текучести стекла при оплавлении контактов (так называемое второе оплавление)....

Номер патента: 2883

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Сосновский Владимир Арестархович, Турцевич Аркадий Степанович, Макаревич Игорь Иванович

МПК: H01L 21/316

Метки: фосфоросиликатного, стекла, осаждения, пленки, способ

Текст:

...существенно снижается концентрация соединений фосфора на выхлопе реактора, что позволяет использовать скруббер без дожигания. В выбранном диапазоне температуры испарителя давление паров диметилфосфита составляет 1.812 мм рт. ст. При температуре испарителя ниже 20 С усложняется управление процессом по концентрации фосфора и не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления паров ДМФ....

Номер патента: 2531

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Тихонов Владимир Ильич, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 21/316

Метки: фосфоросиликатного, способ, осаждения, стекла, пленок

Текст:

...определяется именно этим соотношением. Поэтому контроль за содержанием фосфора в пленке предельно облегчается. Кроме того, так как не используется фосфин, то и уровень привносимой дефектности снижается и повышается однородность осаждаемых пленок по толщине, а также реализуется процесс осаждения фосфоросиликатного стекла без использования высокотоксичного фосфина. Дополнительным преимуществом является некоторое сокращение площади, занимаемой...

Номер патента: 2502

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Аношин Валерий Михайлович, Захарик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, пленки, борофосфоросиликатного, способ, осаждения

Текст:

...содержанием фосфора и бора в пленке предельно упрощается. Подача ДМФ и ТСМБ по дополнительной паре инжекторов с газом-носителем - азотом непосредственно в зону реакции позволяет подавить возможные реакции с образованием побочных продуктов, что подтвер 2 2502 1 ждается результатами эксперимента и, следовательно, повысить качество осаждаемых пленок БФСС за счет снижения уровня привносимой дефектности. При подаче ТМФ и ТСМБ по той же паре...

Номер патента: 1612

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Буляк Борис Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Макаревич Игорь Иванович, Кабаков Михаил Михайлович, Тихонов Владимир Ильич, Сасновский Владимир Арестархович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, получения, пленок, стекла, фосфоросиликатного

Текст:

...легирования пленки фосфором по пластине и по загрузке и предотвращает образование в газовой фазе не только частиц 2, но и Н 2 О 4, Р 25, Р 23, что обеспечивает преимущественное образование Р 25 уже непосредственно на подложке без осаждения на нее частиц Р 25, Р 23 из газовой фазы, приводящего к локальным неоднородностям легирования пленки фосфором. Выбор отношения объемных потоков 3/4 и объемного потока аммиака сделан на основе...

Номер патента: 1613

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Корешков Геннадий Анатольевич, Наливайко Олег Юрьевич, Кабаков Михаил Михайлович, Макаревич Игорь Иванович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, осаждения, пленки, стекла, борофосфоросиликатного

Текст:

...издержки производства. 1613 1 При температуре испарителя с ТЭОС выше 75 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре реактора ниже 650 С снижается скорость осаждения и повышаются издержки производства, а также ухудшается конформность воспроизведения топологического рельефа. При температуре реактора выше 750 С ухудшается управляемость процесса по толщине и концентрациям фосфора и бора. При температуре испарителя с...