H01L 21/308 — с использованием масок
Травитель для анизотропного травления кремния ориентации (100)
Номер патента: 7368
Опубликовано: 30.09.2005
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/308
Метки: кремния, анизотропного, ориентации, травления, 100, травитель
Текст:
...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...
Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем
Номер патента: 3700
Опубликовано: 30.12.2000
Авторы: Бордодынов Александр Петрович, Юшкевич Геннадий Иосифович
МПК: H01L 21/308
Метки: интегральных, схем, полупроводниковых, изготовления, способ
Текст:
...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...
Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния
Номер патента: 3148
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Красницкий Василий Яковлевич, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/308
Метки: конденсатора, кремния, изготовления, поликристаллического, способ, обкладки
Текст:
...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...