H01L 21/28 — изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: изготовлении, состав, системы, полупроводниковых, приборов, удаления, фоторезиста, металлизации

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, системы, приборов, полупроводниковых, способ, изготовления

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/28, H01L 23/48...

Метки: металлизация, интегральной, схемы

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Лабан Эдуард Казимирович, Довнар Николай Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: способ, микросхемы, изготовления, соединений, межэлементных

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/28

Метки: структуру, способ, полипиромеллитимидной, пленки, нанесения, полупроводниковую

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Шинеллер Бернд, Стогний Александр Иванович, Хойкен Михаель, Шуленков Алексей Серафимович, Яблонский Геннадий Петрович

МПК: H01L 21/283, H01L 21/28, H01L 33/00...

Метки: эпитаксиальному, омического, p-gan, способ, изготовления, контакта, прозрачного, слою

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/28, C23C 14/00...

Метки: металлизации, интегральных, способ, системы, схем, изготовления

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: 7431

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Воробьева Алла Ильинична, Сокол Виталий Александрович, Уткина Елена Апполинарьевна

МПК: H01L 21/28, H01L 29/80

Метки: трехэлектродный, активный, элемент, способ, изготовления

Текст:

...управляющей сетки и матрицы изолирующего материала. Фиг. 11 показывает схему переноса электронов в отдельном канале (а) и диаграмму отбора электронов в канале по импульсу (б) при различных управляющих напряжениях на сетке. На чертежах приняты следующие обозначения 1 - подложка 2 - слой истока- 1-й уровень 3 - слой Та 4 - матрица пористого анодного оксида алюминия 23 5 - слой 25 6 - квазипроводящие каналы со множеством столбиков (25 или 25) 7 -...

Номер патента: 7142

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Согрина Елена Вячеславовна, Шкловская Жанна Мечиславовна

МПК: H01L 21/28

Метки: разводки, способ, формирования

Текст:

...напыляют слой никеля толщиной 0,15 мкм. После чего формируют фоторезистивную маску с рисунком разводки. Затем через эту маску вытравливают напыленные ранее слои металла до слоя нижнего никеля. Фоторезистивную маску удаляют. Полученный рельеф слоев металла покрывают слоем никеля толщиной 0,1-0,15 мкм и золота толщиной более 1,0 мкм соответственно через сформированную фоторезистивную маску с размерами на 2-5 мкм щире с каждой стороны, чем...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Михайлова Л. Н., Мозалев А. М., Сурганов В. Ф., Захарчук А. С., Лабунов В. А., Дударчик А. И., Попов Ю. П., Ерема В. В.

МПК: H01L 21/28

Метки: способ, металлизации, изготовления, интегральных, микросхем

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...