H01L 21/265 — с внедрением ионов

Номер патента: 9323

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66, H01L 21/02, H01L 21/265...

Метки: способ, ионной, имплантации, дозиметрии, четырехзондовой

Текст:

...концентрация основных носителей заряда о(х) постоянна по глубине х резистивного слоя 1 или модуль ее приведенного безразмерного градиента/1 при любом х, на точности косвенного измерения дозы по калибровочной кривой может негативно сказаться технологическая неоднородность / толщины выращенного резистивного слоя 1 в различных точках его поверхности. В случае о(х), известное выражение для ПС легированных полупроводниковых слоев 5 т.е....

Номер патента: 6541

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/265

Метки: геттером, кремниевых, структур, изготовления, полупроводниковых, способ

Текст:

...толщина пленки очень мала, она удаляется очень быстро. Обычно процесс предэпитаксиального отжига проводят в течение 0,5-2 мин. При этом происходит также следующее. Водород вследствие малого размера атома быстро диффундирует в кремний и насыщает его. Соединяясь с кислородом, растворенным в кремнии, он образует воду, которая диффундирует 2 6541 1 к поверхности пластины и испаряется из нее. У поверхности пластин образуется обедненная кислородом,...

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Кречко Михаил Михайлович, Алиев Алигаджи Магомедович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: H01L 21/265, H01L 29/78

Метки: мощного, способ, высоковольтного, изготовления, дмоп-транзистора

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Гайдук Сергей Иванович, Балбуцкий Сергей Васильевич, Чаусов Виктор Николаевич, Сасновский Владимир Арестархович

МПК: H01L 21/265

Метки: способ, горизонтальных, транзисторов, схем, р-п-р, интегральных, изготовления

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Номер патента: 668

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Лашицкий Э. К., Ластовский С. Б., Кульгачев В. И., Пилипенко В. А., Зеленин В. А., Сенько С. Ф.

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, лазерного, способ, геттерирования, примесей, пластинах

Текст:

...заполнения линиями скольжения(КЗЛС) рабочей стороны в используемых режимах генерирования (например при мощности лазерных лучей 80 Вт, шаге сканирования 200 мкм) достигает 0,З-О,4. Это означает, что ЗО-4 О площади рабочей поверхности пластины становится усеянной дислокациями с плотностью до 105 см 2 . При таком качестве рабочей поверхности получить годные приборы практически невозможно.В основу изобретения положена задача создания способа...