H01C — Резисторы

Терморезистор

Загрузка...

Номер патента: U 9242

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ильющенко Дмитрий Александрович, Шут Виктор Николаевич

МПК: H01C 7/02

Метки: терморезистор

Текст:

...чувствительный элемент, выполненный из полупроводниковой керамики на основе титаната бария, и двухслойные омические контакты, сформированные из подслоя, контактирующего с поверхностью термочувствительного элемента, и основного электрода, нанесенного на подслой, в соответствии с полезной моделью подслой выполнен из материала, не смачиваемого припоем, а основной электрод нанесен в центре подслоя в виде круга и по площади меньше...

Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Лукашова Надежда Васильевна, Сорока Сергей Александрович

МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 21/8238...

Метки: высокоомного, кмоп, изготовления, способ, схемы, интегральной, полупроводникового, резистора

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Резистор для ограничения тока в импульсном режиме

Загрузка...

Номер патента: 16016

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Говор Геннадий Антонович

МПК: H01C 17/00

Метки: резистор, импульсном, ограничения, тока, режиме

Текст:

...материала для разных капсулирующих составов, на фиг. 3 - сравнительные размеры предложенного резистора из композиционного материала в сравнении с известным проволочным резистором. Композиционный материал выполнен из спрессованного и спеченного порошка железа, частицы которого покрыты оксидами алюминия и карбида железа. На фиг. 1 показан резистор из композиционного материала, состоящий из объемного тела 1 и выводов 2. Температурная...

Позистор

Загрузка...

Номер патента: U 8064

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Шут Виктор Николаевич, Ильющенко Дмитрий Александрович, Мозжаров Сергей Евгеньевич

МПК: H01C 7/02

Метки: позистор

Текст:

...который содержит терморезистивный чувствительный элемент, выполненный из полупроводниковой керамики на основе титаната бария и снабженный внешними металлическими электродами, в соответствии с полезной моделью терморезистивный чувствительный элемент выполнен в виде тела вращения,представляющего собой объединение цилиндра и двух усеченных конусов, большие основания которых совпадают с основаниями цилиндра, а на меньшие основания...

Материал для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна

МПК: H01C 7/00, C22C 28/00

Метки: тонкопленочных, интегральных, материал, элементов, резистивных, микросхем

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Способ получения тонкопленочной резисторной структуры

Загрузка...

Номер патента: 14221

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Горбачук Николай Иванович, Шпак Екатерина Петровна, Грицкевич Ростислав Николаевич, Поклонский Николай Александрович

МПК: C23C 16/22, H01C 17/075

Метки: получения, тонкопленочной, резисторной, способ, структуры

Текст:

...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...

Позистор

Загрузка...

Номер патента: U 5661

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Гаврилов Алексей Викторович, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: H01C 7/02

Метки: позистор

Текст:

...керамики на основе титаната бария, снабженной внешними металлическими электродами, в соответствии с полезной моделью, терморезистивный чувствительный элемент выполнен как минимум трехслойным с нечетным количеством слоев, при этом каждый приэлектродный слой выполнен из керамического материала с более высокими удельным сопротивлением и температурой Кюри, чем центральный слой. Сопоставительный анализ предлагаемого позистора с прототипом...

Резистивный материал

Загрузка...

Номер патента: 12084

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Жданок Сергей Александрович, Васильев Игорь Иванович, Гринчик Николай Николаевич, Ермолаева Елена Михайловна

МПК: H01C 7/10, H01C 17/075, H01B 1/04...

Метки: материал, резистивный

Текст:

...и диэлектрический наполнитель. В качестве токопроводящей фазы он содержит карбид бора. Диэлектрический наполнитель содержит, по крайней мере, один компонент из группы , , 23 (или ), 2 (или МО), 23 (или СоО), 23, 23, 23,25, 227 (или 227, или 427. Связующие - неорганические (фосфатные цементы) и органические (эпоксидные клеи) в количестве 10-30 мас. . Начальное удельное электрическое сопротивление и коэффициент нелинейности вольтамперной...

Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора

Загрузка...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич, Дударь Наталья Леонидовна

МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 29/00...

Метки: способ, изготовления, резистора, высокоомного, поликремниевого

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Высокоомный поликремниевый резистор

Загрузка...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Сякерский Валентин Степанович, Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01C 1/00, H01L 29/00, H01C 7/00...

Метки: высокоомный, резистор, поликремниевый

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Шихта полупроводникового керамического материала для терморезисторов и способ получения материала из нее

Загрузка...

Номер патента: 8201

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Костомаров Сергей Владимирович, Филипповская Нина Петровна, Демчук Инна Николаевна

МПК: C04B 35/468, H01C 7/02

Метки: нее, полупроводникового, материала, получения, шихта, способ, керамического, терморезисторов

Текст:

...10001080 с получением титаната кальция, предварительное смешивание и помол сухим способом титанатов бария и кальция, оксида свинца,диоксида титана и диоксида кремния в вибрационной или шаровой мельнице мелющими телами на основе двуокиси циркония до размера частиц менее 1,2мкм, смешивание компонентов шихты в среде водного раствора карбоната или бикарбоната аммония в шаровой 2 8201 1 2006.06.30 мельнице мелющими шарами из полимерного материала,...

Шихта керамического резистивного материала для позисторов и способ получения материала из нее

Загрузка...

Номер патента: 8200

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Костомаров Сергей Владимирович, Ильющенко Дмитрий Александрович

МПК: C04B 35/468, H01C 7/02

Метки: шихта, нее, способ, резистивного, получения, керамического, материала, позисторов

Текст:

...шихта керамического резистивного материала для позисторов и способ получения материала из нее позволяет устранить недостатки известных материалов и способов аналогичного назначения и обеспечивает достижение более высокого технического результата, заключающегося в повышении качества, повторяемости и стабильности параметров и снижении трудоемкости процесса получения материала путем исключения необходимости предварительного синтеза, сопутствующих...

Блок позисторов для защиты абонентских линий АТС

Загрузка...

Номер патента: U 1203

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Ильющенко Дмитрий Александрович, Борзов Виктор Кузьмич

МПК: H01C 7/02

Метки: блок, позисторов, защиты, абонентских, линий, атс

Текст:

...и возможностью установки на печатных платах. Задача решена тем, что блок позисторов для защиты АТС, включающий корпус, два позистора, содержит четыре выводных контакта и электроизоляционную прокладку. Сущность полезной модели поясняется чертежом фигуры, на котором показан блок позисторов для защиты АТС в разрезе, где 1 - пластмассовый корпус, 2 - позисторы, 3 - диэлектрическая прокладка, 4 - выводные контакты. Заявляемый блок состоит из...

Способ получения резистивного слоя

Загрузка...

Номер патента: 5013

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Чекан Николай Михайлович, Свирин Василий Тимофеевич

МПК: H01C 17/04

Метки: получения, слоя, резистивного, способ

Текст:

...и ТКС полупроводников от температуры небольшие изменения вприводят к значительному изменению этих параметров. В то же время механические,химические и иные характеристики пленки и скин-слоя практически совпадают граница пленки и скин-слоя обладает минимальной свободной энергией, обеспечивая тем самым стабильность функционирования такой системы в качестве высокоомного резистора и ус 2 5013 1 тойчивость ее к старению. При типичных...

Состав для получения толстой резистивной пленки

Загрузка...

Номер патента: 3320

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Проневич Игорь Иванович, Мельниченко Игорь Михайлович

МПК: H01C 7/00

Метки: получения, толстой, пленки, резистивной, состав

Текст:

...формирование резистивной пленки на кремнеземсодержащей подложке из слоя дисперсных алюминия и азотнокислого натрия (калия) происходит следующим образом. При обжиге порошок алюминия расплавляется и, взаимодействуя с расплавом соли азотнокислого натрия (калия) и продуктами ее разложения, восстанавливает кремний из кремнеземсодержащей подложки. В результате реакции восстановления формируется толстая резистивная пленка, состоящая в основном...

Состав для получения резистивной пленки

Загрузка...

Номер патента: 3318

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Проневич Игорь Иванович, Мельниченко Игорь Михайлович, Подденежный Евгений Николаевич

МПК: H05B 3/12, H01C 7/00, H01C 17/02...

Метки: резистивной, пленки, состав, получения

Текст:

...подложке из слоя дисперсных алюминия и хлорида аммония происходит следующим образом. При обжиге порошок алюминия расплавляется и, взаимодействуя, по-видимому, с расплавом соли хлорида аммония и продуктами ее разложения, восстанавливает кремний из кремнеземсодержащей подложки. В результате реакции восстановления формируется толстая резистивная пленка, состоящая в основном из кристаллических и поликристаллических частиц алюминия и кремния. В...

Терморезистор

Загрузка...

Номер патента: 3154

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Казакова Людмила Михайловна, Демчук Инна Николаевна

МПК: H01L 23/522, H01C 7/02

Метки: терморезистор

Текст:

...титана или титаната бария и двухслойные омические контакты, сформированные из адгезионного подслоя, контактирующего с поверхностью термочувствительного элемента, и основного электрода из вожженного серебра, нанесенного на подслой, технический результат обеспечивается тем, что адгезионный подслой выполнен из вожженного алюминия толщиной 10-20 мкм, а основной электрод - толщиной 4-8 мкм. В данном случае повышение механической прочности...

Cпособ получения резистивного керамического материала для позисторов

Загрузка...

Номер патента: 2926

Опубликовано: 30.09.1999

Автор: Демчук Инна Николаевна

МПК: H01C 17/00

Метки: позисторов, cпособ, получения, материала, керамического, резистивного

Текст:

...на его основе путем исключения намола примесей в керамический материал,улучшения однородной плотности при формировании и равномерности микроструктуры заготовок после обжига в результате оптимизации режимов синтеза и обжига и меньшей стоимости капролоновых мелющих тел. Сущность изобретения заключается в том, что в заявляемом способе получения резистивного керамического материала для позисторов, заключающимся в приготовлении шихты путем...

Способ гуммирования технологической оснастки

Загрузка...

Номер патента: 680

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Коломайнен В. В., Сташкевич А. А., Широков М. Ф.

МПК: H01C 13/00

Метки: технологической, способ, оснастки, гуммирования

Текст:

...кассеты и его последующую вулканизацию, вышеуказанный технический результат достигается тем, что обезжиривание рабочих поверхностей кассеты производят путем ее промывки в ацетоне, в качестве клеевого адгезионного подслоя используют слой метил-З-ацетооксисилана, а укладку и прикатку резинового покрытия к рабочим поверхностям кассеты производят путем установки кассеты в металлическую форму и заливки в нее резиновой композиции на основе смеси...