Гременок Валерий Феликсович
Способ получения тонких пленок SnS
Номер патента: 17820
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович
МПК: C30B 29/46, C23C 14/24, H01L 31/18...
Метки: способ, тонких, получения, пленок
Текст:
...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....
Тонкопленочный полупроводниковый фотодетектор
Номер патента: 16917
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович
МПК: H01L 31/18
Метки: фотодетектор, полупроводниковый, тонкопленочный
Текст:
...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...
Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS
Номер патента: 15451
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Иванов Василий Алексеевич, Башкиров Семен Александрович, Унучек Денис Николаевич
МПК: C30B 29/46, C23C 28/00, H01L 31/18...
Метки: способ, элементов, структуры, основе, получения, тонкопленочной, солнечных
Текст:
...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...
Способ получения тонких пленок сульфоселенида олова
Номер патента: 14255
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Залесский Валерий Борисович, Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович
МПК: H01L 31/18, C30B 29/10
Метки: олова, сульфоселенида, пленок, получения, способ, тонких
Текст:
...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...
Способ получения тонкой пленки Ba1xSrxTiO3
Номер патента: 13507
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Романюк Виктор Леонидович
МПК: H01L 31/18
Метки: получения, способ, ba1xsrxtio3, тонкой, пленки
Текст:
...импульсное лазерное напыление на кремниевую подложку пленки 1-3 из материала мишени. Новым, по мнению авторов, является то, что импульсное лазерное напыление осуществляют лазером, работающим в режиме свободной генерации, с длиной волны 1,06 нм, длительностью импульса 10-3 с и энергией импульса 150-160 Дж, причем во время напыления давление составляет 200,5 Па и температура подложки 2002 С. На фиг. 1 представлена рентгенограмма пленки...
Способ получения тонкой пленки соединения Cu(InxZn1-x)(SeyS1-у)2
Номер патента: 11399
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович, Иванов Василий Алексеевич
МПК: H01L 31/18
Метки: пленки, способ, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2, соединения, получения, тонкой
Текст:
...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...
Способ формирования пленки соединения Cu2ZnSn(Se,S)4
Номер патента: 11393
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович
МПК: H01L 31/18
Метки: cu2znsn(se,s)4, формирования, пленки, способ, соединения
Текст:
...2(,)4 пленки. Способ получения 2(,)4 тонких пленок включает следующую последовательность операций формирование на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя (С, ), (либо их бинарных селенидов и/или сульфидов) с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах серы и селена...
Способ получения тонкой пленки Cu(In,Ga)(S,Se)2
Номер патента: 11392
Опубликовано: 30.12.2008
Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна, Тиванов Михаил Сергеевич, Залесский Валерий Борисович
МПК: H01L 31/18
Метки: тонкой, способ, cu(in,ga)(s,se)2, пленки, получения
Текст:
...для синтеза однофазной (,)(,)2 пленки. Способ получения (,)(,)2 тонких пленок включает следующую последовательность операций формируют на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементы базового слоя и/или их бинарные селениды, и/или сульфиды с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжигают полученную структуру...
Способ получения пленок твердых растворов Zn2-2xCuxInxIV2
Номер патента: 7739
Опубликовано: 28.02.2006
Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович
МПК: H01L 31/18
Метки: zn2-2xcuxinxiv2, твердых, способ, пленок, получения, растворов
Текст:
...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...
Способ получения халькопиритных CuInSe2, Сu (In, Ga) Se2 или CuGaSe2 тонких пленок
Номер патента: 5894
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Ковалевский Вячеслав Иосифович, Залесский Валерий Борисович, Курдесов Федор Васильевич, Гременок Валерий Феликсович
МПК: H01L 31/18
Метки: способ, тонких, получения, пленок, халькопиритных, cugase2, или, cuinse2
Текст:
...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...