Гременок Валерий Феликсович

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18, C23C 14/24, C30B 29/46...

Метки: способ, тонких, пленок, получения

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Номер патента: 16917

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18

Метки: полупроводниковый, фотодетектор, тонкопленочный

Текст:

...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович, Иванов Василий Алексеевич, Унучек Денис Николаевич

МПК: C23C 28/00, H01L 31/18, C30B 29/46...

Метки: способ, получения, структуры, основе, тонкопленочной, элементов, солнечных

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18, C30B 29/10

Метки: олова, способ, пленок, сульфоселенида, тонких, получения

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Номер патента: 13507

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Романюк Виктор Леонидович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, ba1xsrxtio3, тонкой, получения, пленки

Текст:

...импульсное лазерное напыление на кремниевую подложку пленки 1-3 из материала мишени. Новым, по мнению авторов, является то, что импульсное лазерное напыление осуществляют лазером, работающим в режиме свободной генерации, с длиной волны 1,06 нм, длительностью импульса 10-3 с и энергией импульса 150-160 Дж, причем во время напыления давление составляет 200,5 Па и температура подложки 2002 С. На фиг. 1 представлена рентгенограмма пленки...

Номер патента: 11399

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Иванов Василий Алексеевич, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкой, способ, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2, пленки, получения, соединения

Текст:

...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...

Номер патента: 11393

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, формирования, пленки, cu2znsn(se,s)4, соединения

Текст:

...2(,)4 пленки. Способ получения 2(,)4 тонких пленок включает следующую последовательность операций формирование на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя (С, ), (либо их бинарных селенидов и/или сульфидов) с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах серы и селена...

Номер патента: 11392

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Тиванов Михаил Сергеевич, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, тонкой, получения, пленки, cu(in,ga)(s,se)2

Текст:

...для синтеза однофазной (,)(,)2 пленки. Способ получения (,)(,)2 тонких пленок включает следующую последовательность операций формируют на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементы базового слоя и/или их бинарные селениды, и/или сульфиды с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжигают полученную структуру...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: получения, твердых, способ, пленок, zn2-2xcuxinxiv2, растворов

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Ковалевский Вячеслав Иосифович, Курдесов Федор Васильевич, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонких, cugase2, получения, халькопиритных, способ, cuinse2, пленок, или

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...