Гайдук Сергей Иванович

Складной стакан

Загрузка...

Номер патента: U 10064

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Гайдук Сергей Иванович

МПК: A47G 19/22

Метки: стакан, складной

Текст:

...тем, что помимо непосредственного функционального назначения складного стакана как емкости для продовольственных и непродовольственных товаров данная конструкция позволяет расширить сферу его применения. Так, в сложенном состоянии данная конструкция представляет собой подставку, которая может широко применяться в быту. Кроме того, данная конструкция может применяться в декоративных целях. Используя в качестве материала для...

Контейнер для раскладки отравленных приманок против грызунов

Загрузка...

Номер патента: U 9582

Опубликовано: 30.10.2013

Автор: Гайдук Сергей Иванович

МПК: A01M 25/00

Метки: против, раскладки, приманок, контейнер, грызунов, отравленных

Текст:

...приманок, позволяющего свести к минимуму риск случайного высыпания отравленной приманки из контейнера. Сущность полезной модели поясняется фиг. 1-3. На фиг. 1 изображен общий вид одного из вариантов исполнения контейнера для раскладки отравленных приманок, когда стенка днища и стенка крышки, образующие входную щель и имеющие меньшую высоту, чем другие стенки, образуют с поверхностью днища и с поверхностью крышки соответственно угол...

Способ изготовления горизонтальных р-п-р транзисторов для интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Сасновский Владимир Арестархович, Чаусов Виктор Николаевич, Гайдук Сергей Иванович, Балбуцкий Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем, горизонтальных, транзисторов, р-п-р, способ, изготовления

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...