G01N 15/08 — определение проницаемости, пористости или поверхностной площади пористых материалов

Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления

Загрузка...

Номер патента: U 10690

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Буркин Александр Николаевич, Панкевич Дарья Константиновна, Петрова Радмила Святославовна, Борозна Вилия Дмитриевна

МПК: G01N 15/08

Метки: определения, давления, прибор, методом, материалов, гидростатического, водонепроницаемости

Формула / Реферат:

Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что он снабжен устройством светозвуковой индикации проникания воПрибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что...

Способ определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов

Загрузка...

Номер патента: 15531

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маркова Людмила Владимировна, Александров Валерий Михайлович, Шкурдюк Петр Алексеевич

МПК: G01N 15/08, G01N 1/32

Метки: материалов, пористого, определения, площади, компактного, способ, контакта, фактической

Текст:

...способа. Поставленная задача достигается тем, что в заявляемом способе определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов, в котором спекают подложку из компактного материала с пластиной из пористого материала, изготавливают шлиф, после чего его поверхность со стороны компактной подложки обрабатывают травителем до момента выявления на ней границ, очерчивающих площади контакта частиц пористого материала с компактным,...

Прибор для определения водопоглощения образца строительного материала

Загрузка...

Номер патента: 11533

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Добриян Георгий Константинович, Щепочкина Юлия Алексеевна, Воронова Наталья Петровна, Березовский Сергей Николаевич, Подлозный Эдуард Дмитриевич, Березовский Николай Иванович

МПК: G01N 15/08

Метки: строительного, прибор, образца, водопоглощения, определения, материала

Текст:

...крепления исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизонтали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...

Прибор для определения водопоглощения строительных материалов

Загрузка...

Номер патента: U 3880

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Березовский Сергей Николаевич, Подлозный Эдуард Дмитриевич, Березовский Николай Иванович, Воронова Наталья Петровна, Добриян Георгий Константинович, Щепочкина Юлия Алексеевна

МПК: G01N 15/08

Метки: прибор, определения, материалов, водопоглощения, строительных

Текст:

...исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизон 2 38802007.10.30 тали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...

Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv

Загрузка...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович, Ширипов Владимир Яковлевич

МПК: G01N 15/08, H01L 21/66

Метки: ашвv, контроля, полупроводников, пористости, подложках, способ, покрытий

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....