G01N 15/08 — определение проницаемости, пористости или поверхностной площади пористых материалов

Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления

Загрузка...

Номер патента: U 10690

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Борозна Вилия Дмитриевна, Петрова Радмила Святославовна, Панкевич Дарья Константиновна, Буркин Александр Николаевич

МПК: G01N 15/08

Метки: методом, водонепроницаемости, материалов, гидростатического, прибор, определения, давления

Формула / Реферат:

Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что он снабжен устройством светозвуковой индикации проникания воПрибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что...

Способ определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов

Загрузка...

Номер патента: 15531

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маркова Людмила Владимировна, Александров Валерий Михайлович, Шкурдюк Петр Алексеевич

МПК: G01N 1/32, G01N 15/08

Метки: определения, фактической, контакта, площади, компактного, пористого, способ, материалов

Текст:

...способа. Поставленная задача достигается тем, что в заявляемом способе определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов, в котором спекают подложку из компактного материала с пластиной из пористого материала, изготавливают шлиф, после чего его поверхность со стороны компактной подложки обрабатывают травителем до момента выявления на ней границ, очерчивающих площади контакта частиц пористого материала с компактным,...

Прибор для определения водопоглощения образца строительного материала

Загрузка...

Номер патента: 11533

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Подлозный Эдуард Дмитриевич, Добриян Георгий Константинович, Березовский Сергей Николаевич, Воронова Наталья Петровна, Щепочкина Юлия Алексеевна, Березовский Николай Иванович

МПК: G01N 15/08

Метки: прибор, образца, определения, материала, водопоглощения, строительного

Текст:

...крепления исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизонтали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...

Прибор для определения водопоглощения строительных материалов

Загрузка...

Номер патента: U 3880

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Березовский Николай Иванович, Подлозный Эдуард Дмитриевич, Березовский Сергей Николаевич, Добриян Георгий Константинович, Воронова Наталья Петровна, Щепочкина Юлия Алексеевна

МПК: G01N 15/08

Метки: строительных, прибор, водопоглощения, материалов, определения

Текст:

...исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизон 2 38802007.10.30 тали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...

Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv

Загрузка...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: G01N 15/08, H01L 21/66

Метки: способ, полупроводников, ашвv, покрытий, контроля, пористости, подложках

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....