Ершова Надежда Васильевна

Номер патента: 2335

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Воронин Сергей Иванович, Костенко Евгений Михайлович, Ершова Надежда Васильевна

МПК: H01L 21/82

Метки: изготовления, кмдп-интегральных, схем, низкопороговых, способ

Текст:

...окислением в сухом ЕС 1 при Т 100 ОС 0создают подзатворный окисел толщиной 400 А. Из графиков, поназанннх на фиг.1 и 2, видно, что при этом пороговые напряжения р-канального транзистора соспэплнт 0,7 В, пнанального транзистора 050 В. Затем наносят полпкремний И с помощью фотолито г графин формируют электродьтзатворов и первый уровень металли зации. Затем формируют межслоиннй диэлектрик и о помощью фотолитографии вскрывают отверстия к...