Емельянов Виктор Андреевич

Номер патента: U 10679

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Емельянов Антон Викторович, Посылкина Ольга Ивановна, Сенько Сергей Федорович, Романов Игорь Михайлович

МПК: C23C 14/00

Метки: многослойное, защитное, покрытие

Формула / Реферат:

Многослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся тем, что упомянутые чередующиеся слои выполнены из нитрида иМногослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся...

Номер патента: U 10678

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Карпович Дмитрий Семенович, Комаровская Виктория Маратовна, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна

МПК: C23C 28/00

Метки: режущий, инструмент

Формула / Реферат:

Режущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев оРежущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, полупроводниковых, диэлектрическая, приборов, изоляция

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, межуровневой, изготовления, диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Номер патента: U 9270

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Куис Дмитрий Валерьевич, Рудак Павел Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна

МПК: C23C 28/00

Метки: режущий, инструмент

Текст:

...технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы отличаются от радиуса атомов титана не более чем на 12 , что обеспечивает образование твердых растворов замещения в широком интервале концентраций. Присутствие инородных атомов в процессе кристаллизации пленки титана препятствует образованию крупных...

Номер патента: U 9269

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Антон Викторович, Карпович Дмитрий Валерьевич, Сенько Сергей Федорович, Гапанович Ольга Ивановна, Емельянов Виктор Андреевич, Жижченко Алексей Геннадьевич

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...и упрочняющей пленкой на основе соединений тугоплавких металлов, адгезионная пленка толщиной 0,1-2,0 мкм выполнена на основе твердого раствора хрома, или циркония, или молибдена в титане при концентрации примеси 0,5-3,0 . Сущность заявляемого технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы...

Номер патента: U 9268

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гапанович Ольга Ивановна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Латушкина Светлана Дмитриевна

МПК: C23C 14/00

Метки: многослойное, покрытие, защитное

Текст:

...зерен. Структура вместо столбчатой становится мелкозернистой, что сопровождается дополнительным повышением прочности. Кроме того, рассматриваемые твердые растворы характеризуются более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая...

Номер патента: U 9267

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Комаровская Виктория Маратовна, Пискунова Ольга Юрьевна, Латушкина Светлана Дмитриевна

МПК: C23C 14/00

Метки: защитное, покрытие, многослойное

Текст:

...более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая совокупность свойств рассматриваемых легирующих элементов позволяет получать высокопрочные пленки легированных слоев при одновременном уменьшении размеров зерен. Наличие...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Антон Викторович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/788

Метки: полевой, плавающим, затвором, транзистор

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Алиева Наталья Васильевна, Хмыль Александр Александрович, Сенько Сергей Федорович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластины, кремния, способ, полупроводниковой, изготовления

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, диэлектрическая, полупроводниковых, изоляция, межуровневая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластин, покрытие, геттерирующее, полупроводниковых, кремниевых

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, приборов, удаления, полупроводниковых, изготовлении, фоторезиста, металлизации, состав

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: приборов, полупроводниковых, металлизации, способ, системы, изготовления

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 16/22, H01L 21/322

Метки: формирования, способ, покрытия, полупроводниковых, пластин, геттерирующего, кремниевых

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 14401

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Вершина Алексей Константинович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: B23P 15/28, C23C 14/32

Метки: способ, покрытия, износостойкого, нанесения, инструмент, режущий

Текст:

...также снижает качество формируемого покрытия. Технической задачей предлагаемого изобретения является увеличение износостойкости инструмента путем повышения качества наносимого покрытия за счет обеспечения оптимальной температуры нагрева инструментов для формируемого покрытия. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент, включающем размещение инструмента на держателе, очистку и...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: поверхности, полупроводниковой, контроля, изделия, способ, структуры, качества, частности, пластины

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 9/00, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: частности, поверхности, качества, изделия, структуры, пластины, полупроводниковой, контроля, устройство

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковая, кремниевая, пластина

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевых, полупроводниковых, покрытие, геттерирующее, пластин

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02

Метки: способ, системы, кремниевых, полупроводниковых, изготовления, приборов, металлизации

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Номер патента: U 5775

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: изделий, контроля, качества, поверхности, устройство

Текст:

...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...

Номер патента: 11976

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Ефремов Георгий Игнатьевич, Котова Инна Федоровна, Мухуров Николай Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01H 59/00

Метки: микроактюатор, электростатический

Текст:

...подложка выполнена плоской и с прямоугольным подвижным элементом, выполненным посредством сквозных пазов, соотношение коротких и длинных сторон которого составляет 1(1020), соединенным серединами коротких сторон с подложкой посредством Г-образных опор, расположенных симметрично относительно короткой оси симметрии подвижного элемента, при этом подложка выполнена с четырьмя симметричными выступами, направленными к длинным сторонам...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович

МПК: B05D 5/12, H01L 21/02, C23C 16/455...

Метки: кремния, способ, осаждения, пленки, поликристаллического, полуизолирующего

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, шоттки, диода, изготовления

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Леонов Николай Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Шведов Сергей Васильевич, Дудар Наталия Леонидовна

МПК: H01L 29/00

Метки: моп-транзистор, каналом, встроенным

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: состав, поликристаллического, кремния, пленок, травления

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович

МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...

Метки: изготовления, резистора, поликремниевого, высокоомного, способ

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Сякерский Валентин Степанович, Леонов Николай Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович

МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...

Метки: высокоомный, поликремниевый, резистор

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Бахматова Надежда Андреевна, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: G03F 7/32

Метки: позитивного, фоторезиста, проявления, состав

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: B08B 11/00

Метки: очистки, воды, трубки, деионизованной, поливинилхлоридной, отборника, выполненного, способ, проб, виде, гибкой

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: качества, поверхности, очистки, растворе, ph больше 7, способ, контроля, полупроводниковой, пластины, химической, кремниевой

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, изготовления, способ, прибора

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, изготовления, системы, прибора, кремниевого, металлизации, способ

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: металлизации, прибора, полупроводникового, изготовления, способ, системы

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: микросхем, полимерных, остатков, изготовлении, интегральных, металло-кремнийорганических, удаления, состав, кремниевых

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Турыгин Анатолий Викторович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: пленок, основе, химической, поверхности, состав, алюминия, очистки

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Номер патента: U 3518

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Рогачев Александр Владимирович, Саян Николай Иосифович, Попов Александр Николаевич, Федосенко Николай Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: B26F 1/00

Метки: изделий, мелкоразмерный, металлических, инструмент, высокоточных, обработки

Текст:

...шероховатость. Это приводит к тому, что при резании в результате отделения отдельных капель протекает разрушение покрытия нитрида титана. По этой причине для получения покрытия с более высокими триботехническими свойствами необходимо осаждение достаточно толстого алмазоподобного слоя, обеспечивающего формирование более гладкой внешней поверхности. 2 35182007.04.30 Техническая задача, решаемая заявляемой полезной моделью, заключается в...