Ефремов Василий Андреевич
Способ изготовления транзистора
Номер патента: 15265
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Снитовский Юрий Павлович, Ефремов Василий Андреевич, Нелаев Владислав Викторович
МПК: H01L 21/331
Метки: способ, транзистора, изготовления
Текст:
...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...