Дудкин Александр Иванович
Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора
Номер патента: 18283
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Подковщиков Николай Николаевич
МПК: H01L 21/58, C23C 14/16
Метки: способ, металлизации, формирования, стороны, обратной, кристалла, прибора, полупроводникового
Текст:
...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...
Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора
Номер патента: 18282
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/58, C23C 14/16
Метки: обратной, металлизация, кристалла, стороны, полупроводникового, прибора
Текст:
...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Номер патента: 18281
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/58, C23C 14/16
Метки: кристаллодержателю, способ, присоединения, прибора, кристалла, полупроводникового, кремниевого
Текст:
...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...
Высоковольтный быстродействующий диод
Номер патента: 16468
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Пуцята Владимир Михайлович, Голубев Николай Федорович, Дудкин Александр Иванович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Метки: диод, быстродействующий, высоковольтный
Текст:
...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...
Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники
Номер патента: 15733
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/02
Метки: источников, бора, планарных, изделий, твердых, микроэлектроники, композиция, изготовлении, получения
Текст:
...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...
Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 15732
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/02
Метки: приборов, твердых, бора, интегральных, схем, источников, создании, способ, планарных, полупроводниковых, изготовления
Текст:
...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: 9018
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Дудкин Александр Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Войтех Сергей Николаевич, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 29/94, H01L 29/92
Метки: микросхем, конденсатор, интегральных
Текст:
...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...