Дударчик Анатолий Иванович

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович, Кречко Михаил Михайлович

МПК: H01L 29/78, H01L 21/265

Метки: дмоп-транзистора, мощного, изготовления, высоковольтного, способ

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Номер патента: 4024

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович, Кречко Михаил Михайлович, Рубцевич Иван Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 21/425, H01L 29/78

Метки: дмоп-транзистора, высоковольтного, способ, изготовления, мощного

Текст:

...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/331, H01L 29/78

Метки: высоковольтного, дмоп-транзистора, изготовления, способ, мощного

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...

Номер патента: 4014

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 29/72

Метки: транзистор, пробою, вторичному, обратному, биполярный, мощный, устойчивый

Текст:

...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...

Номер патента: 1957

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Лях Николай Иванович, Яворович Алексей Алексеевич, Дударчик Анатолий Иванович, Ковалевский Александр Адамович, Сычевская Регина Фоминична, Чижик Александр Георгиевич

МПК: H01L 23/48

Метки: обработки, рамок, золочением, железоникелевых, сплавов, способ, выводных

Текст:

...пятен, протравов и раковин помещали в ванну с раствором для консервации, затем использовали и для золочения. Определив ВРЗМН золочения рамок по контрольному процессу длн обеспеченя толщины (1,03,0) мкм помещали их по 12 штук в установку для локального ЗОЛОЧЕНИВ выводных рамок и проводили локальноепосле золочения выводные рамки выгружались и проводилась оценка их качества и толщины. Оцена толщины проводилась весовым методом.Внешний вид...