Довнар Николай Александрович
Диод Шоттки
Номер патента: 15214
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...
Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур
Номер патента: 14870
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Кривчик Петр Петрович, Становский Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович
МПК: C30B 25/20, H01L 21/36
Метки: кремниевых, способ, изготовления, структур, эпитаксиальных
Текст:
...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...
Металлизация интегральной схемы
Номер патента: 14851
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/28...
Метки: интегральной, металлизация, схемы
Текст:
...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....
Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы
Номер патента: 14850
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Лабан Эдуард Казимирович, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...
Метки: межэлементных, соединений, изготовления, способ, микросхемы
Текст:
...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 14452
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Комаров Фадей Фадеевич, Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Мильчанин Олег Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: диода, шоттки, способ, изготовления
Текст:
...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...
Способ очистки ортофосфорной кислоты
Номер патента: 3682
Опубликовано: 30.12.2000
Авторы: Довнар Николай Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Кукреш Анна Брониславовна, Иванов Геннадий Иванович
МПК: C01B 25/235
Метки: способ, кислоты, ортофосфорной, очистки
Текст:
...полной или частичной закупорки, частыми остановками процесса для замены фильтров или их очистки от твердой фазы. В основу изобретения положена задача создания высокопроизводительного, пригодного для серийного промышленного производства способа очистки ортофосфорной кислоты за счет уменьшения вязкости и повышения скорости фильтрации, исключения закупорки пор фильтров твердой фазой и частых остановок по этой причине процесса очистки...
Способ регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты
Номер патента: 3417
Опубликовано: 30.06.2000
Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Довнар Николай Александрович, Курганович Александр Александрович
МПК: H01L 21/306, C23F 1/46
Метки: травителя, ортофосфорной, регенерации, основе, кислоты, способ
Текст:
...осуществляют путем добавления в отработанный травитель 0,1-0,2 об. ч. воды, нагревания до температуры 90-100 С и выдержки при этой температуре не менее 1 ч. Как показали эксперименты, 0,1-0,2 об. ч. воды достаточно для обратного превращения пирофосфорной кислоты в ортофосфорную. Уменьшение количества воды, добавляемой в травитель, менее 0,1 об. ч. не позволяет всю пирофосфорную кислоту перевести в ортофосфорную, а увеличение количества воды,...
Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния
Номер патента: 3148
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич, Довнар Николай Александрович
МПК: H01L 21/308
Метки: поликристаллического, способ, конденсатора, кремния, обкладки, изготовления
Текст:
...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...
Накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем
Номер патента: 2639
Опубликовано: 30.03.1999
Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Цыбулько Игорь Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Смаль Игорь Вацлавович, Довнар Николай Александрович
МПК: H01L 29/92, H01L 27/10
Метки: элемента, схем, памяти, накопительный, интегральных, конденсатор
Текст:
...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...
Способ изготовления МДП-транзистора
Номер патента: 973
Опубликовано: 15.12.1995
Авторы: Смаль Игорь Вацлавович, Красницкий Василий Яковлевич, Довнар Николай Александрович
МПК: H01L 21/335
Метки: мдп-транзистора, способ, изготовления
Текст:
...примеси второго типа проводимости,создание сильнолегированньтх исток-стоковых областей отлил-ом внедрештой примеси, после внедрения в пластину по обе стороны от приставочных областей медленнодиффут-тдирующей примеси второго ттша проводимости, в пластину,в те же области внедряют быстродиффундирующую примесь того же тшта проводимости, и одновременно с созданием сильнолегированньпс исток-стоковых областей диффузией быстродиффундирующей...