Довнар Николай Александрович

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Становский Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Мышук Виктор Иванович, Кривчик Петр Петрович

МПК: H01L 21/36, C30B 25/20

Метки: изготовления, способ, кремниевых, структур, эпитаксиальных

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/28, H01L 21/02...

Метки: интегральной, схемы, металлизация

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Лабан Эдуард Казимирович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/28, H01L 23/48...

Метки: способ, изготовления, межэлементных, микросхемы, соединений

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Комаров Фадей Фадеевич, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Мильчанин Олег Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, способ, шоттки, изготовления

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Номер патента: 3682

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Иванов Геннадий Иванович, Довнар Николай Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Кукреш Анна Брониславовна

МПК: C01B 25/235

Метки: очистки, кислоты, ортофосфорной, способ

Текст:

...полной или частичной закупорки, частыми остановками процесса для замены фильтров или их очистки от твердой фазы. В основу изобретения положена задача создания высокопроизводительного, пригодного для серийного промышленного производства способа очистки ортофосфорной кислоты за счет уменьшения вязкости и повышения скорости фильтрации, исключения закупорки пор фильтров твердой фазой и частых остановок по этой причине процесса очистки...

Номер патента: 3417

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Курганович Александр Александрович, Довнар Николай Александрович

МПК: C23F 1/46, H01L 21/306

Метки: кислоты, ортофосфорной, способ, основе, регенерации, травителя

Текст:

...осуществляют путем добавления в отработанный травитель 0,1-0,2 об. ч. воды, нагревания до температуры 90-100 С и выдержки при этой температуре не менее 1 ч. Как показали эксперименты, 0,1-0,2 об. ч. воды достаточно для обратного превращения пирофосфорной кислоты в ортофосфорную. Уменьшение количества воды, добавляемой в травитель, менее 0,1 об. ч. не позволяет всю пирофосфорную кислоту перевести в ортофосфорную, а увеличение количества воды,...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, обкладки, изготовления, поликристаллического, конденсатора, способ

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Цыбулько Игорь Александрович, Красницкий Василий Яковлевич, Смаль Игорь Вацлавович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 27/10, H01L 29/92

Метки: элемента, интегральных, конденсатор, памяти, схем, накопительный

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...

Номер патента: 973

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Довнар Николай Александрович, Красницкий Василий Яковлевич, Смаль Игорь Вацлавович

МПК: H01L 21/335

Метки: способ, мдп-транзистора, изготовления

Текст:

...примеси второго типа проводимости,создание сильнолегированньтх исток-стоковых областей отлил-ом внедрештой примеси, после внедрения в пластину по обе стороны от приставочных областей медленнодиффут-тдирующей примеси второго ттша проводимости, в пластину,в те же области внедряют быстродиффундирующую примесь того же тшта проводимости, и одновременно с созданием сильнолегированньпс исток-стоковых областей диффузией быстродиффундирующей...