Достанко Анатолий Павлович
Устройство инфракрасного нагрева
Номер патента: U 10287
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Костюкевич Анатолий Александрович, Достанко Анатолий Павлович, Ланин Владимир Леонидович
МПК: F24C 3/04
Метки: устройство, нагрева, инфракрасного
Текст:
...в том, что устройство инфракрасного нагрева, содержащее трубчатый излучатель, на одном конце которого электрический нагреватель, а на другом конце установлен вентилятор, рефлектор, расположенный над излучателем, снабжено вторичным тепловым излучателем, замыкающим отражающую поверхность рефлектора и выполненным из материала с высокой температуропроводностью, а также теплоизолирующими элементами тороидальной формы с переменным углом раскрытия,...
Система определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки
Номер патента: U 9421
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Мадвейко Сергей Игоревич, Достанко Анатолий Павлович, Цивако Алексей Александрович, Бордусов Сергей Валентинович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Полыко Валерий Владимирович
МПК: H05H 1/00
Метки: оптимального, определения, плазмообразующей, проведения, система, свч, процессов, давления, плазмохимической, среды, обработки
Текст:
...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...
Устройство регулирования величины мгновенной мощности работающего на плазменную нагрузку СВЧ магнетрона
Номер патента: U 6517
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Мадвейко Сергей Игоревич, Бордусов Сергей Валентинович
МПК: H05B 6/66
Метки: нагрузку, работающего, устройство, магнетрона, величины, свч, мощности, мгновенной, регулирования, плазменную
Текст:
...импульсным напряжением с формой импульса, близкой к прямоугольной, что увеличивает эффективность процесса плазменной обработки материалов. Задача предлагаемой разработки состоит в создании простого и эффективного способа регулирования величины мгновенной мощности работающего на плазменную нагрузку СВЧ магнетрона. Сущность предлагаемой полезной модели заключается в создании системы регулирования величины мгновенной мощности в...
Автоматическое программно-управляемое устройство токовой защиты
Номер патента: U 6233
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Бордусов Сергей Валентинович, Годун Дмитрий Васильевич
МПК: H02H 3/08
Метки: токовой, программно-управляемое, защиты, автоматическое, устройство
Текст:
...элемент, соединенный с выходом мультивибратора. 2 62332010.06.30 Однако при детальном рассмотрении данного изобретения возможно обнаружить некоторую схемотехническую избыточность радиоэлементов, а также невозможность изменять время повторного включения, которое в 3 определяется параметрами ждущего мультивибратора, и порог срабатывания устройства программным образом. Схемотехническое решение, рассмотренное в 2 и 3, также применимо только для...
Устройство токовой защиты
Номер патента: 10436
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Неделько Вячеслав Алексеевич, Бордусов Сергей Валентинович
Метки: защиты, устройство, токовой
Текст:
...усилителя, содержащая два резистивных элемента фильтр нижних частот, установленный на выходе операционного усилителя блок триггерной защиты, состоящий из -триггера и ждущего мультивибратора с цепью обратной связи с триггером,входустановки которого соединен с выходом компаратора, на инвертирующий вход которого подано опорное напряжение коммутирующий элемент, соединенный с выходом мультивибратора. Сущность изобретения заключается в том, что...
Способ сопряженной электростимуляции стенок пищеводно-желудочного соустья и устройство для его реализации
Номер патента: 10560
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Ролевич Игорь Викторович, Завада Николай Васильевич, Адамович Антон Михайлович, Осипов Анатолий Николаевич, Достанко Анатолий Павлович
МПК: A61N 1/32
Метки: реализации, пищеводно-желудочного, сопряженной, устройство, электростимуляции, способ, стенок, соустья
Текст:
...соустья, содержащее генератор стимулирующих импульсов, выход которого соединен с первым входом модулятора, второй вход которого соединен с выходом генератора огибающей стимулирующего сигнала, выход модулятора соединен со входом усилителя мощности, выход которого соединен с электродами, блок отображения информации,содержит генератор видеоизображения, блок отображения информации, генератор син 2 10560 1 2008.04.30 хросигналов, первый...
Реакторный блок установки эпитаксиального наращивания
Номер патента: 10260
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Авдеев Сергей Мартинович, Завадский Сергей Михайлович, Голосов Дмитрий Анатолиевич, Достанко Анатолий Павлович
МПК: C23C 16/00
Метки: наращивания, блок, установки, эпитаксиального, реакторный
Текст:
...реакторный блок установки эпитаксиального наращивания отличается от известного тем, что внутренняя поверхность кожухов выполнена полированной со средней шероховатостью поверхностине более 1 мкм, отражающее покрытие выполнено из алюминия или его сплавов с содержанием не более 1,5 кремния, а поверх отражающего покрытия нанесен защитный слой из оксида кремния толщиной 1-5 мкм. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных...
Электрический излучательный обогреватель
Номер патента: 8310
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Бурский Вячеслав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Достанко Анатолий Павлович
Метки: излучательный, обогреватель, электрический
Текст:
...С, что соответствует достаточно жестким нормам для строительных конструкций. Этому также способствует контакт элементов крепления с излучательным элементом в местах, затененных от ИК излучения, что исключает непосредственную передачу через них тепла теплоизолирующему элементу. На фигуре показана принципиальная схема предлагаемого устройства. Электрический обогреватель содержит кварцевые галогенные лампы ИК излучения 1,рефлектор 2 и...
Нагревательная плита с адаптированной ёмкостью
Номер патента: 8309
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Достанко Анатолий Павлович, Баранов Валентин Владимирович, Бурский Вячеслав Александрович
МПК: F24C 15/10, A47J 36/00
Метки: адаптированной, плита, нагревательная, ёмкостью
Текст:
...(Лучистый поток). 90 мощности излучения передается в спектральной области 0,95-1,2 мкм. Часть лучистого потока (приблизительно 1/2) попадает на корпус нагревателя с отражающим покрытием и 80 его отражается от его поверхности. Некоторая часть этого лучистого потока переотражается ограничителями зоны активного нагрева в направлении отражающего покрытия корпуса и вновь направляется на пластину. Т.е.36-40 энергии отраженного лучистого потока...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю поверхность крупноформатных цилиндрических объектов ионно-плазменными методами
Номер патента: U 2737
Опубликовано: 30.06.2006
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Свадковский Игорь Витальевич, Завадский Сергей Михайлович, Голосов Дмитрий Анатольевич
МПК: C23C 14/00
Метки: цилиндрических, нанесения, ионно-плазменными, крупноформатных, тонкопленочных, установка, покрытий, внутреннюю, многослойных, объектов, поверхность, методами
Текст:
...ионную очистку, нанесение слоев методами магнетронного распыления, реактивного магнетронного распыления, непосредственного нанесения из ионного пучка и получать многослойные тонкопленочные структуры на крупноформатные подложки в едином вакуумном цикле, в том числе на внутреннюю поверхность цилиндрических объектов. На фиг. 1 показано схематичное изображение установки для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю...
Аэроионизатор
Номер патента: 7300
Опубликовано: 30.09.2005
Авторы: Бондарик Василий Михайлович, Супрунюк Александр Степанович, Кашицкий Эдуард Степанович, Клим Сергей Дмитриевич, Осипов Анатолий Николаевич, Достанко Анатолий Павлович, Кракасевич Сергей Викторович
Метки: аэроионизатор
Текст:
...в том, что в блок памяти вводится информация о времени включения/выключения устройства, которое сравнивается с данными счетчика реального времени, что позволяет определить реальное время включения/выключения ионизатора. На фигуре приведена структурная схема устройства. Устройство содержит блок питания 1, выход которого соединен с первым входом блока индикации 2 и первым входом первого коммутатора 3, выход которого соединен с входом...
Устройство для плазменной обработки материалов
Номер патента: 7025
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Бордусов Сергей Валентинович, Варатницкий Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Достанко Анатолий Павлович
МПК: H01L 21/302
Метки: обработки, плазменной, материалов, устройство
Текст:
...устройство содержит диэлектрическую разрядную камеру, выполненную в виде вертикально расположенного и герметично закрытого с обоих торцов полого кварцевого цилиндра с размещенными внутри верхним и нижним плоскопараллельными электродами, а магнитная система выполнена в виде двух соленоидов, расположенных друг над другом вокруг кварцевого цилиндра, обмотки которых расположены между ограничительными стальными дисками-магнитопроводами,...
Сумматор-накопитель
Номер патента: 7066
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Герасименя Николай Иванович, Бондарик Василий Михайлович, Осипов Анатолий Николаевич
Метки: сумматор-накопитель
Текст:
...время преобразования не зависит от длины обрабатываемых чисел, что позволяет увеличить частоту поступления отсчетов сигнального вектора в устройство.На фиг. 1 приведена структурная схема сумматора-накопителя, на фиг. 2 - временные диаграммы работы сумматора-накопителя.Сумматор-накопитель содержит (фиг. 1) первый арифметический блок 1, первый вход которого соединен со входом устройства, а первый выход - с первым входом первого регистра 2,...
Устройство для измерения напряженности электрического поля
Номер патента: U 1336
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Грозберг Юрий Геннадьевич, Адамович Александр Леонидович, Кундас Семен Петрович, Капралов Михаил Егорович, Бордусов Сергей Валентинович
МПК: G01R 29/08
Метки: измерения, напряженности, электрического, устройство, поля
Текст:
...поля. Задача полезной модели - обеспечение возможности измерения напряженности мощных СВЧ электрических полей и нахождения их пространственного распределения. Поставленная задача решается тем, что устройство для измерения напряженности электрического поля, включающее датчик, представляющий собой заполненный инертным газом герметичный сосуд из материала, прозрачного для СВЧ полей, помещенный в герметичный кожух из аналогичного материала,...
Пассивирующее покрытие для подложек из арсенида галлия
Номер патента: 5561
Опубликовано: 30.09.2003
Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Малькевич Владимир Эдуардович, Юрченок Лариса Григорьевна, Достанко Анатолий Павлович
МПК: H01L 21/316
Метки: пассивирующее, покрытие, подложек, арсенида, галлия
Текст:
...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...
Маска для ионного легирования арсенида галлия
Номер патента: 5321
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович
МПК: H01L 21/266
Метки: легирования, галлия, арсенида, ионного, маска
Текст:
...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления
Номер патента: U 918
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Свадковский Игорь Витальевич, Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович, Достанко Анатолий Павлович
МПК: C23C 14/34
Метки: методом, многослойных, магнетронного, установка, нанесения, покрытий, распыления, тонкопленочных
Текст:
...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...
Акустическое устройство измерения расстояния до объекта
Номер патента: 4774
Опубликовано: 30.12.2002
Авторы: Осипов Анатолий Николаевич, Достанко Анатолий Павлович, Шахлевич Григорий Михайлович, Боженков Владимир Владимирович
МПК: G01S 15/08
Метки: акустическое, расстояния, объекта, измерения, устройство
Текст:
...Объект зондируетсясигналами, характеризующимися различными периодами следования сигнала, и определение расстояния до объекта производится порезультатам измерений в соответствии с китайской теоремой об остатках. Это позволяет измерять расстояние до объекта зондирующими сигналами с малой скважностью. На фиг. 1 приведена структурная схема устройства. На фиг. 2 и фиг. 3 приведены структурные схемы соответственно формирователя излучаемого...
Способ нанесения покрытий на основе серебра
Номер патента: 4205
Опубликовано: 30.12.2001
Авторы: Губаревич Татьяна Михайловна, Достанко Анатолий Павлович, Корженевский Александр Павлович, Кушнер Лариса Константиновна, Хмыль Александр Александрович
МПК: C25D 3/46, C25D 15/00
Метки: серебра, нанесения, способ, основе, покрытий
Текст:
...УДА служит местом концентрирования примесных атомов, что повышает чистоту собственно серебра и, следовательно, электропроводность получаемого КЭП. Введение в нецианистые электролиты серебрения ультрадисперсного алмаза в заявляемом соотношении с осаждаемым металлом приводит к получению высокотвердых осадков. В зависимости от режима электролиза, состава и типа нецианидного электролита микротвердость КЭП возрастает на 200-700 МПа по...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 3537
Опубликовано: 30.09.2000
Авторы: Корчаго Наталия Васильевна, Урбан Михаил Владимирович, Достанко Анатолий Павлович, Старовойтов Иван Васильевич, Дереченник Станислав Станиславович, Баранов В. В.
МПК: H01L 23/48
Метки: прибор, полупроводниковый
Текст:
...а такжепоявления значительных обратных токов иснижения пробивного напряжения обратноемещенного диода в случаях касания проволочным проводом защитно-пассивирующего покрытия на планерной стороне. кристалла. Вероятность-такого касания существует по следующим причинамугловое смещение (перекос) вывода 10 при сборке из-за размягчения стекла баллона 13 в процессе образования метаплостеклянного спая. вероятного расположения кристалла со...
Способ нанесения никелевых покрытий
Номер патента: 3088
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Хмыль Александр Александрович, Резникова Людмила Геннадьевна, Анисимович Василий Григорьевич, Достанко Анатолий Павлович
Метки: никелевых, нанесения, покрытий, способ
Текст:
...вокруг нее устойчивую парогазовую оболочку, которая отделяет анод от отрицательно заряженного электролита. Между анодом и электролитом создается сильное электрическое поле, которое вызывает ионизацию молекул и пробой парогазовой оболочки. Электрический ток воздействует на поверхность металла, подвергая ее эрозионной полировке. Под действием высокой температуры и интенсивно протекающих химических и электрохимических реакций происходит...
Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv
Номер патента: 3078
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович
МПК: G01N 15/08, H01L 21/66
Метки: контроля, покрытий, способ, ашвv, полупроводников, подложках, пористости
Текст:
...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....
Способ ультразвуковой сварки
Номер патента: 2339
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Седаев Владимир Павлович, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Ларин Владимир Леонидович, Достанко Анатолий Павлович
МПК: B23K 20/10
Метки: ультразвуковой, способ, сварки
Текст:
...этом опреде- 35ЛЯТЬСЯ ИЗ ВЫРЗЖЕННЯ Пгде В коэффидиент диффузии металла ос 403 градиент КОНЦЕНТРЗЦНН металла П подвижность атомов металла под действием электрического тока 1 величина тока г УДЕЛЬНОЗ ЭЛЕКТРИческое сопротивление металла С 45КОНЦЕНТРЗЦНН ИОНОВ металла В ЗОНЕ СОЕДИНЕНИЯ.//диффуэионноподвнжного металла в сое динении приводит к увеличению прочное-50 ти микросварных соединений, посколь Редактор П.Зубкова Заказ 389/ДСПку...
Способ формирования пленочных микромостиков из высокотемпературных сверхпроводников
Номер патента: 2309
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Погребняков Алексей Владимирович, Достанко Анатолий Павлович, Матюнина Ольга Владимировна
МПК: H01L 39/24, H01L 39/22
Метки: микромостиков, способ, пленочных, сверхпроводников, формирования, высокотемпературных
Текст:
...о наличии большого числа межзеренных переходов в микромостике. 2 2309 1 Одним из основных недостатков описанного способа является низкая воспроизводимость характеристик пленочных микромостиков, так как слабая связь создается на границе раздела двух зерен, образование которых представляет собой случайный процесс, поэтому и значения параметров пленочных микромостиков тоже являются случайными величинами. Задачей предлагаемого способа является...