Чаусов Виктор Николаевич

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Чаусов Виктор Николаевич, Сасновский Владимир Арестархович, Гайдук Сергей Иванович, Балбуцкий Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/265

Метки: изготовления, интегральных, транзисторов, р-п-р, способ, горизонтальных, схем

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Номер патента: 1842

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Вайнилович Олег Семенович, Чаусов Виктор Николаевич, Белоус Анатолий Иванович, Вечер Дмитрий Вячеславович

МПК: H03K 3/286

Метки: инжекционный, д-триггер

Текст:

...включенному состоянию инжекционного элемента. Логическоепостроенному по принципу трех ЕЗтриггеров. Закон функционирования такого В-триггера хорошо известен.Втриггеру на базе трех КБ-триггеров. Существенным отличием в выделенных блоках предложенного В-триггере является наличие дополнительного30 инжекционного элемента В (14), кото рыл благодаря предложенным связям является логическим расширителем инжекционного элемента 3 (9)....