C30B 9/00 — Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей

Номер патента: 14280

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич, Барило Сергей Николаевич

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10, C30B 17/00...

Метки: lamno3+, лантана, монокристаллов, манганита, выращивания, способ

Текст:

...вращения электрода 30 об/мин, температуре роста 10500,1 С, плотности тока 510 мА/см 2 в течение 80-100 часов до получения монокристалла и промывают выросшие монокристаллы в кислотном растворе. Новым, по мнению авторов, является то, что берут растворитель 24-3 в мольном соотношении 2,21, в качестве тигля используют платиновый тигель объемом 100 см 3, который является одним из электродов (катод), второй платиновый электрод(анод) с помещенной...

Номер патента: 13076

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Колесова Ирина Михайловна, Телеш Евгений Владимирович, Лугинец Александр Михайлович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Волчик Татьяна Владимировна, Кравцов Андрей Валерьевич, Гурский Леонид Ильич

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: граната, способ, получения, железо-иттриевого, замещенного, висмут

Текст:

...в течение 20-50 часов и охлаждением до температуры 920-980 С, затем на вырезанные по плоскости (111) монокристаллические пластины железо-иттриевого граната напыляют висмут и осуществляют диффузионный отжиг при температуре 650 С и давлении кислорода 105 Па в течение 50 часов. Сущность изобретения заключается в использовании экологически чистого, химически неагрессивного к платиновой технологической оснастке, термодинамически устойчивого к...

Номер патента: 12461

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Барило Сергей Николаевич, Шестак Анатолий Сергеевич, Ширяев Сергей Витальевич, Бычков Георгий Леонидович

МПК: C30B 29/10, C30B 9/00

Метки: способ, lnbaco2o5+x, выращивания, монокристаллов, где, eu,gd,tb,dy

Текст:

...шихту из порошков карбоната бария ВаСО 3 и оксида кобальта СО 3 О 4 в соотношении 23. Загруженный алундовый тигель помещают в вертикальную электрическую нагревательную печь, включают нагрев со скоростью 100-150 С/ч, нагревают до температуры 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 12 ч для разложения ВаСО 3. Далее продолжают нагрев с той же скоростью до появления расплава, который определяется визуально по появлению на поверхности...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Колесова Ирина Михайловна, Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Каланда Николай Александрович

МПК: C30B 15/00, C30B 9/00, C30B 7/00...

Метки: монокристаллической, пленки, выращивания, способ, y3al5o12:nd3+

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...